Защита MSP430 от обратной полярности Опции

[Sinoptic555]

При питании MSP430 я использую 3 батарейки + стабилизатор LP2981-3V.
Кто-нибудь, подскажите толковую схему защиты при смене полярности.

Я поставил диод, BAS40 перед LP2981, но напряжение упало с 4.3 до 2.8В.
Получилось, что LP2981 с диодом не работает, так как для стабилизатора нужно не менее 3В.
Хотелось бы получить защиту переносящую обратную полярность ~5В, а лучше 12В.

Первый раз решаю такие вопросы – видимо чего-то недопонимаю, может диод не тот поставил. Поделитесь своим опытом, киньте ссылку.

Спасибо.

[Flasher]

поставь полевик последовательно без технологического диода. Затвор соедени с другим проводом питания. Если питание будет в нужной полярности, тогда полевик откроется и пропустит на стабилизатор. Сопротивление открытого канала тебе особо не помешает при низком потреблении.

[Sinoptic555]

поставь полевик последовательно без технологического диода. Затвор соедени с другим проводом питания. Если питание будет в нужной полярности, тогда полевик откроется и пропустит на стабилизатор. Сопротивление открытого канала тебе особо не помешает при низком потреблении.

Спасибо.
Если есть опыт, подскажите какой полевой транзистор лучше использовать.

На "обыкновенном" диоде при прямом включении падении напряжение составит 0,6-0,7 В (в среднем).

Да вроде обычный диод, подскажите что использовали? (SMD версию)

Сообщение отредактировал Sinoptic555 - Jul 22 2008, 10:49

[rezident]

Если есть опыт, подскажите какой полевой транзистор лучше использовать.

Нужен JFET, причем внимательно нужно смотреть на его ВАХ, чтобы при переполюсовке он был надежно закрыт. Если же JFET искать ленно, то возмите пару (или сдвоенный) N-channel MOSFET Logic Level (с управлением от логического уровня) и сделайте на них симметричный ключ. Правда включать этот ключ нужно будет в цепь минуса, а не плюса. Но раз прибор с батарейным питанием, то для защиты от переполюсовки батареи вполне подойдет. На симметричном ключе будет падать меньшее напряжение, чем на диоде (даже Шоттки), т.к. сопротивление открытого канала MOSFET весьма низкое.
Update.
Вот нарисовал схемку и промоделировал на маломощных MOSFET 2N7002 (Rds(ON)≤7.5Ohm). При токе около 50мА падение на симметричном ключе меньше 0,3В. А если взять MOSFET с более низким сопротивлением канала, то падение будет еще меньше.

Эскизы прикрепленных изображений