HEXFET IRF2804 ненабирает нормальное сопротивление канала в синхронном выпрямителе, на макете сопротивление сопротивление в несколько раз выше заявленого& Опции

[AlexRayne]

Всем здрасте!
пытаемся сделать DCDC с синхронным выпрямлением на выходе. Обломились жестоко с тем что транзистор
IRF2804 в потенции делжен выдавать Rси 2мОм, а на макете при работе в меандре на чатоте 100кГц - Rси на порядки выше.
пытаясь поподробнее рассмотреть его собрал макет приближенно напоминающий Fig 18a. Switching Time Test Circuit даташита. различия - резистор нагрузки составил из параллельно соединенных 10х 1Ом 1206. дополнительно к резистивной нагрузке добавил индуктивную из параллельно соединенных китайских керамических резисторов 9х SQP25Wt 0.1Ом. измеренная индуктивность составила 0.27uH. на плате рядом с транзистором напаял батарею конденсаторов : 5х 68uF танталы и 10х 3.3uF 1206 которая стоит параллельно источнику питания.
в затворе драйвер lm5110. генератор выдает импульсы 8us с периодом 800us.
параллельно стои-исток поставлен TVS диод SMBJ15A - для блокирования выбросов индуктивной нагрузки.
сопротивление канала вычислял в конце импульса по формуле Uc/Uds - где Uc - напряжение питание измеренное на батарее кондеров (оно за время импульса успевает egfcnm на 1/4), Uds - напряжение с-и транзистора.
результат: без индуктивности и с индуктивностью Rds =5мОм приблизительно. при заявленых фирмой 2мОм
с индуктивностью диаграмма напряжения Uс-и транзистора несовпадает со здравым смыслом и моделью никак. согласно модели транзистор открывается при нулевом токе - посему напряжение Uds должно резко обвалится до 0 и плавно нарасти вместе с током индуктивности. в реальности оно експоненциально монотонно уменьшается все время импульса.

кто нибудь сталкивался с чем подобным? объясните мне олуху как сделать так чтобы оно заработало хотябы близко к тому что даташит заявляет.

Прикрепленные файлы

 tb1324.pdf ( 7.9 килобайт ) Кол-во скачиваний: 298

 

[sahka]

а какой температуры корпус (железка) тразистора?

[AlexRayne]

а какой температуры корпус (железка) тразистора?

при моих условиях оно вообче негрееца. если на температуру грешить то - только если мгновенную в моменты коммутации. но по тестовой схеме транзистор включается с условием ZCS, а по осцилограммам етого ненаблюдается - на фронте експоненциальный спад напряжения Vds(как будто он емкостную нагрузку имеет а не индуктивную), а не отвесный

Ну, если так все подробно испытали, остаецца думать на левый транзистор.. Обычно чисто IRF при не сильно нагретом кристалле имеют запас от заявленного...Потому что рассчитано на 175 град...

по поводу подозрений на левизну: IRF в параметрах IRF2804s-7p параметр Rds оговаривает как
RDS(on) SMD \ Static Drain-to-Source On-Resistance \ ....... \ VGS = 10V, ID = 160A (3)
где
(3) Pulse width ≤ 1.0ms; duty cycle ≤ 2%.
как ето понимать? в каком месте импульса меряется Rds? наверняка в конце импульса
infeneon Rds указывает тоже как static параметр.

тобиш, подозреваю что просто происходит недопонимание или недоописание сущности параметра RDS(on)

тотже параметр у Si7686DP (trenchFET для синхронных выпрямителей) указан для импульсов уже 300мкс
интересно былоб узнать как они работают в реальных выпрямителях на частотах 100к.