прошу поделиться опытом. Какова надёжность этого типа флеши (Samsung), требуется ли всегда читать бит правильности записи (чтения)? И ещё мне остался совсем непонятен механизм замещения "битых" ячеек и включения ECC, в PDF расплывчато очень написано об этом.
Спасибо! Я подключаю к ПЛИС флешку, поэтому мне сложнее малость, надо всё это на машине состояний раскручивать, поэтому каждый "лишний" цикл обращения - определённая сложность, а уж выделить инвалидный блок - совсем тяжело. Я не совсем понял, как "включить" использовние spare area и собственно ECC. Или код туда заносится тоже самим пользователем? Кстати, возможно состояние, когда выход R/B залипнет в нуле?
Надёжность NAND flash
Aug 29 2005, 09:53
