Цитата(Vitаha @ Sep 13 2008, 14:41)

Подскажите, а как можно изменять мощность на нагрузке (R=50 Om)? В голову приходит только изменение питания коллекторной цепи выходного транзистора. А не "поплывут" ли от этого рабочие точки и настройки выходных контуров?
Можно и питанием на стоке и смещением на затворе, ничего особо не поплывет. Первый случай, например, используют для стоковой/коллекторной модуляции, когда характеристика Vвых(Eпит) достаточно линейна, хотя естественно присутствует мощность прямого прохождения через емкость затвор-сток Cзс.
Цитата
И еще. Каким способом оптимально раскачать выходной транзистор? Имеется логический выход (0..5В) с меандром, потом думаю этот сигнал подать на затворы полевиков, включённых по схеме push/pull, как на схеме вверху. Или есть более предпочтительные варианты?
В первую очередь надо оперировать понятием мощности, а не напряжения, и померить ее на выходе логических устройств, в приведенной схеме на резисторе 27 Ом. Если это амплитуда меандра в 5 В на 27 омах, то мощность по первой гармонике будет больше, чем (5^2)/(2*27), то есть 0.5 Вт. Если это так, то и драйвер не нужен, просто какой-нибудь буферный каскад для лучшей изоляции. А затем исходить из требуемой выходной мощности и коэффициента усиления выбранного транзистора оконечного каскада. Но в принципе драйвер может быть и двухтактный (push/pull), и однотактный. Но надо иметь ввиду, что у транзистора IRL510 напряжение отсечки Vth меньше 2 В, тогда как у транзистора RD16HHF1 это напряжение порядка 5 В.
Сообщение отредактировал grandrei - Sep 13 2008, 21:04