реклама на сайте
подробности

 
 
> Вопросик про NAND
zombi
сообщение Sep 15 2008, 16:42
Сообщение #1


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 076
Регистрация: 10-09-08
Пользователь №: 40 106



Ув. Господа сразу прошу простить меня если вопрос не в тему 05.gif
Если кто-то работал с NAND Flash Memory просвятите плиз.
Читал даташит на эти "хитрые" NAND флэшки и не могу понять что значит serial access? Аглицким владею со словарем.
Если я правильно понял то после записи команды и пяти адресов можно просто дергать /RE (/OE) и читать последовательно данные, причем ОЕ можно довольно быстро дергать ~30нс-50нс на цикл чтения. И сколько в таком режиме данных можно прочитать? Всю флэшку или есть ограничения?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
mempfis_
сообщение Sep 15 2008, 17:33
Сообщение #2


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 001
Регистрация: 27-06-06
Пользователь №: 18 409



Цитата(zombi @ Sep 15 2008, 19:42) *
Ув. Господа сразу прошу простить меня если вопрос не в тему 05.gif
Если кто-то работал с NAND Flash Memory просвятите плиз.
Читал даташит на эти "хитрые" NAND флэшки и не могу понять что значит serial access? Аглицким владею со словарем.
Если я правильно понял то после записи команды и пяти адресов можно просто дергать /RE (/OE) и читать последовательно данные, причем ОЕ можно довольно быстро дергать ~30нс-50нс на цикл чтения. И сколько в таком режиме данных можно прочитать? Всю флэшку или есть ограничения?


Это обозначает последовательный доступ smile.gif Т.е. после записи пяти байт адреса после некоторой задержки в буффер строки перегружается целая строка данных (напр. в 1Gb флешке размер строки 2048 байт + 64 байта дополнительной области) и далее по каждому фронту тактового импульса выдаётся по одному байту данных пока небудет выдана вся строка. Если Вы вдруг считаете не 2112 (2048+64) байт а например 2113 то чтение начнётся с начала строки. При записи всё аналогично только нет задержки после записи адреса (сразу-же после записи адреса можно записывать данные в регистр строки). Надеюсь понятно объяснил smile.gif Читайте документацию там всё подробно расписано (по крайней мере у samsung) smile.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zombi
сообщение Sep 15 2008, 19:07
Сообщение #3


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 076
Регистрация: 10-09-08
Пользователь №: 40 106



Цитата(mempfis_ @ Sep 15 2008, 20:33) *
Надеюсь понятно объяснил smile.gif

Куда уж понятнее!!!
Спасибо 'mempfis_!
Жаль тока что теперь я понял: мне энта память не подойдет crying.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
mempfis_
сообщение Sep 16 2008, 06:53
Сообщение #4


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 001
Регистрация: 27-06-06
Пользователь №: 18 409



Цитата(zombi @ Sep 15 2008, 23:07) *
Куда уж понятнее!!!
Спасибо 'mempfis_!
Жаль тока что теперь я понял: мне энта память не подойдет crying.gif


Если Вы огласите задачу то возможно Вам помогут с выбором памяти. Дело в том что почти вся память большого объёма основана на постраничной записи/считывании (кроме NOR-flash). Если Вам нужен побайтный доступ то нужно использовать NOR-flash (но скорость считывания больших объёмов данных будет низкой) smile.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 23rd July 2025 - 02:12
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01381 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016