Вопросик про NAND Опции

[zombi]

Ув. Господа сразу прошу простить меня если вопрос не в тему
Если кто-то работал с NAND Flash Memory просвятите плиз.
Читал даташит на эти "хитрые" NAND флэшки и не могу понять что значит serial access? Аглицким владею со словарем.
Если я правильно понял то после записи команды и пяти адресов можно просто дергать /RE (/OE) и читать последовательно данные, причем ОЕ можно довольно быстро дергать ~30нс-50нс на цикл чтения. И сколько в таком режиме данных можно прочитать? Всю флэшку или есть ограничения?

[mempfis_]

Ув. Господа сразу прошу простить меня если вопрос не в тему
Если кто-то работал с NAND Flash Memory просвятите плиз.
Читал даташит на эти "хитрые" NAND флэшки и не могу понять что значит serial access? Аглицким владею со словарем.
Если я правильно понял то после записи команды и пяти адресов можно просто дергать /RE (/OE) и читать последовательно данные, причем ОЕ можно довольно быстро дергать ~30нс-50нс на цикл чтения. И сколько в таком режиме данных можно прочитать? Всю флэшку или есть ограничения?

Это обозначает последовательный доступ Т.е. после записи пяти байт адреса после некоторой задержки в буффер строки перегружается целая строка данных (напр. в 1Gb флешке размер строки 2048 байт + 64 байта дополнительной области) и далее по каждому фронту тактового импульса выдаётся по одному байту данных пока небудет выдана вся строка. Если Вы вдруг считаете не 2112 (2048+64) байт а например 2113 то чтение начнётся с начала строки. При записи всё аналогично только нет задержки после записи адреса (сразу-же после записи адреса можно записывать данные в регистр строки). Надеюсь понятно объяснил Читайте документацию там всё подробно расписано (по крайней мере у samsung)

[zombi]

Надеюсь понятно объяснил

Куда уж понятнее!!!
Спасибо 'mempfis_!
Жаль тока что теперь я понял: мне энта память не подойдет

[mempfis_]

Куда уж понятнее!!!
Спасибо 'mempfis_!
Жаль тока что теперь я понял: мне энта память не подойдет

Если Вы огласите задачу то возможно Вам помогут с выбором памяти. Дело в том что почти вся память большого объёма основана на постраничной записи/считывании (кроме NOR-flash). Если Вам нужен побайтный доступ то нужно использовать NOR-flash (но скорость считывания больших объёмов данных будет низкой)

[zombi]

Если Вам нужен побайтный доступ то нужно использовать NOR-flash (но скорость считывания больших объёмов данных будет низкой)

Я вот нашел пару чипов.
1-я подходят поскорости но маловат обьём!
2-я по обьему что надо, но медленная сволошь.
1: S29PL127J 128Megabit 55-70нс
2: S29GL01GP 1 Gigabit 110нс
Може знает кто 3-х вольтовую мс хотябы на 512Megabit с 60нс доступом желательно в TSOPе?


P.S.
А еще я ищу SRAM на 16Megabit или более <=10нс тоже 3v и в TSOPe.

Сообщение отредактировал zombi - Sep 16 2008, 11:33

[Acex]

P.S.
А еще я ищу SRAM на 16Megabit или более <=10нс тоже 3v и в TSOPe.

http://www.issi.com/products-asynchronous-sram.htm

1Mx16 IS61WV102416ALL/BLL 1.65V-3.6V 8,10,20 TSOP1(48), mBGA(48) Prod Lead-free

1Mx16 IS62WV102416ALL/BLL 1.65V-3.6V 25,35 TSOP1(48), mBGA(48) Prod Lead-free,
Low Power

2Mx8 IS61WV20488ALL/BLL 1.65V-3.6V 8,10,20 TSOP2(44), mBGA(48) Prod Lead-free

2Mx8 IS62WV20488ALL/BLL 1.65V-3.6V 25,35 TSOP2(44), mBGA(48) Prod Lead-free,
Low Power

[zombi]

1Mx16 IS61WV102416ALL/BLL 1.65V-3.6V 8,10,20 TSOP1(48), mBGA(48) Prod Lead-free

1Mx16 IS62WV102416ALL/BLL 1.65V-3.6V 25,35 TSOP1(48), mBGA(48) Prod Lead-free,
Low Power

2Mx8 IS61WV20488ALL/BLL 1.65V-3.6V 8,10,20 TSOP2(44), mBGA(48) Prod Lead-free

2Mx8 IS62WV20488ALL/BLL 1.65V-3.6V 25,35 TSOP2(44), mBGA(48) Prod Lead-free,
Low Power

Спасибо Acex!
Я тоже у cypress нашел: CY7C1061BV33-10ZI
http://www.cypress.com/products/?gid=5&...goryID=All&
Будем думать что дешевле