Нужна ли FS ?, AT45DB Опции

[Огурцов]

Требуется вести лог данных. Скорость - несколько байт в минуту. Записи могут быть переменной длинны, но их изменение в процессе работы не требуется. После считывания данных хостом считанные данные очищаются.

Нужна ли для этого файловая система с дополнительными сервисными возможностями или ограничиться кольцевым буфером ?
Можно ли в AT45DB дописывать (не стирая предыдущие данные) данные в сектор, в который уже была сделана запись ?

Теоретически, есть еще 56 байт в NV-RAM, которые пока не используются. Хотя на сектор (512 байт) их не достаточно.

[ReAl]

Можно ли в AT45DB дописывать (не стирая предыдущие данные) данные в сектор, в который уже была сделана запись ?

Осторожно с этим надо.
У AT45DBxxxB написано недвусмысленно:

Buffer to Main Memory Page Program without Built-in Erase
A previously erased page within main memory can be programmed with the contents of either buffer 1 or buffer 2.
.....
Successive page programming operations without doing a page erase are not recommended. In other words, changing bytes within a page from a ”1” to a ”0” during multiple page programming operations without erasing that page is not recommended.

У AT45DBxxxD несколько невнятно:

It is necessary that the page in main memory that is being programmed has been previously erased using one of the erase commands (Page Erase or Block Erase).

Может можно дописывать (имели ввиду всего лишь то, что без стирания не "запишутся" единички), может нет.

Теоретически, есть еще 56 байт в NV-RAM, которые пока не используются. Хотя на сектор (512 байт) их не достаточно.

Накапливать в них фрагмент и потом его весь сбрасывать. Например, читая во внутренний буфер AT45DB какую-то страницу, дописывая в нужное место фрагмент из RTC, записывая этот буфер в массив со стиранием.
И гарантированно "честно", и меньше стираний, меньше самих операций записи.

[Огурцов]

Может можно дописывать (имели ввиду всего лишь то, что без стирания не "запишутся" единички), может нет.

Перечитал раза три, тоже так и не понял, что они хотели сказать.

[rezident]

Перечитал раза три, тоже так и не понял, что они хотели сказать.

Имеется в виду, что запись без предварительного стирания не полностью гарантирует сохранность "1", расположенных на кристалле поблизости от записываемых "0". Видимо у Atmel не совсем идеально разработана структура NOR- вентиля (полевика с "плавающим" затвором) и поэтому при записи "ноликов" в такой вентиль заряд "единичек" вентилей, расположенных по соседству, постепенно "стирается". Туннельный эффект во всем виноват, ёшкин кот!

[Огурцов]

Так может вместо ноликов единички и записывать ? Т.е. стерли как положено, записали первый раз 0x12 0xFF 0xFF..., а второй раз записываем уже 0xFF 0x34 0xFF..., тогда единички деградировать не будут, а нолики, где были, в единички уж точно не превратятся при записи хоть что туда записывай.