Надёжность NAND flash Опции

[Серокой]

прошу поделиться опытом.
Какова надёжность этого типа флеши (Samsung), требуется ли всегда читать бит правильности записи (чтения)?
И ещё мне остался совсем непонятен механизм замещения "битых" ячеек и включения ECC, в PDF расплывчато очень написано об этом.

[bmf]

c YAFFS работал
скажу про недостатки:
она не доделана (по тексту много замечаний) и больше не развивается (замещена пользу YAFFS2)
сразу расчитайте сколько надо RAM - для 128M NAND при кластере в 8KB - 128K, а в оригинале кажется для 2K нужно - 512K это минимум
Время запуска (ускоренная вычитка всех областей) для 128M - около 4sec
Непредсказуемые задержки в процессе выполнения (при накоплении данных в gabrage collection происходит их длительная очистка и перемещение)
для YAFFS2 структуры в памяти и требовательность к ресурсам еще больше
соответствнно для 512M NAND - все в 4 раза больше и дольше

единственное преимущество это нечувствительность к пропаданию питания

как по мне - она (что YAFFS, что YAFFS2) только для ресурсоемких систем, а по времени старта вообще сомнительна для embedded
Принцип работы - просто загрузить всю информацию о всех секторах и блоках в RAM и работать с ней, поэтому и такая ресурсоемкость и монстровитость.