реклама на сайте
подробности

 
 
> AT91SAM7S: errata про NVRAM
brumal
сообщение Oct 18 2008, 13:07
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 51
Регистрация: 13-09-07
Из: Севастополь-Евпатория
Пользователь №: 30 503



В еррате на сабжевые камни есть упоминание, что NVRAM в котором лежат локбиты может быть перезаписано только 100 раз.
означает ли это что кол-во циклов перезаписи флеша тоже, вообщем-то, равно 100?
или при записи флеша через JTAG(юзаю openocdшный адаптер и софт) не обязательно производить Lock флеша после записи?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
_dem
сообщение Oct 18 2008, 13:09
Сообщение #2


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 263
Регистрация: 2-02-07
Из: CN, Ukraine
Пользователь №: 24 970



А зачем вам каждый раз lock после записи делать ?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
brumal
сообщение Oct 18 2008, 13:15
Сообщение #3


Участник
*

Группа: Новичок
Сообщений: 51
Регистрация: 13-09-07
Из: Севастополь-Евпатория
Пользователь №: 30 503



Цитата(_dem @ Oct 18 2008, 16:09) *
А зачем вам каждый раз lock после записи делать ?

Так себя ведет SAM-BA, думал, что критично для работы ARMа иметь залоченые страницы флеша.
Раз лочить не нужно, то жить стало легче. Спасибо!
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 15th August 2025 - 18:21
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01363 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016