ARM9 и SD карта - скорость доступа Опции

[Serg_D]

День добрый!
если у кого есть опыт, был бы весьма признателен за ответ на следующий вопрос:

утрированно задача следующая -
есть необходимость считывать с SD карты данные из разных файлов, причём относительно мелкими порциями (килобайт по 16). Т.е допустим на карте 1000 файлов, необходимо открыть их все и последовательно считывать,
из первого файла 16 кило, из второго 16 кило итд, и так по кругу, складывая это в буфера в озу.

Так вот в разрезе этой задачи интересуют оценки сверху по времени на следующие операции -

1 - переключение чтения с одного файла на другой (получается переключение с одногосеткора на другой, для нанд флэши эти данные есть, но ведь в карте свой контроллер)

2 - время открытия файла, если это FAT

А если файлов не 1000 а 64 допустим?

чтение будет требоваться, примерно 3-6 мегабайт в секунду...

Сорри за расплывчатое объяснение, необходимо понять стоит ли покупть отладочную плату для опытов в принципе - или затея изначально не решаемая.

По АРМ-ам - смотрю в сторону атмелов SAM9X или NXP (по перефирии подкупает новая серия 3130, но отладочные платы видимо будут ещё не скоро...), у них есть SDIO - тюе можно получить (видимо) вменяемую скорость...

Спасибо!

[sensor_ua]

Прошу помочь растолковать
4.6.2.1 Read
For a Standard Capacity SD Memory Card, the times after which a timeout condition for read operations
occurs are (card independent) either 100 times longer than the typical access times for these
operations given below or 100 ms (the lower of the two). The read access time is defined as the sum
of the two times given by the CSD parameters TAAC and NSAC (see Chapter 5.3). In the case of a
single read operation, these card parameters define the typical delay between the end bit of the read
command and the start bit of the data block. In the case of a multiple-read operation, they also define
the typical delay between the end bit of a data block and the start bit of next data block.
A High Capacity SD Memory Card indicates TAAC and NSAC as fixed values. The host should use 100
ms timeout (minimum) for single and multiple read operations rather than using TAAC and NSAC.
4.6.2.2 Write
For a Standard Capacity SD Memory Card, the times after which a timeout condition for write operations
occurs are (card independent) either 100 times longer than the typical program times for these
operations given below or 250 ms (the lower of the two). The R2W_FACTOR field in the CSD is used
to calculate the typical block program time obtained by multiplying the read access time by this factor. It
applies to all write commands (e.g. SET(CLR)_WRITE_PROTECT, PROGRAM_CSD and the block
write commands).
A High Capacity SD Memory Card indicates R2W_FACTOR as a fixed value.
Maximum length of busy is defined as 250 ms for all write operations. The host should use 250 ms
timeout (minimum) for single and multiple write operations rather than using R2W_FACTOR.
4.6.2.3 Erase
If the card supports parameters for erase timeout calculation in the SD Status, the host should use them
to determine erase timeout (see Chapter 4.10.2). If the card does not support these parameters, erase
timeout can be estimated by block write delay.
The duration of an erase command can be estimated by the number of write blocks (WRITE_BL) to be
erased multiplied by 250 ms.

из упрощенной спецификации SDHC - Simplified_Physical_Layer_Spec.pdf

особенно интересует, действительно ли при записи расчитывать на время занятости 250 мс (!!!)