Посоветуйте полевик, с малым сопротивлением канала Опции

[777777]

International Rectifier делает транзисторы с сопротивлением до 10...20 миллиОм, но они позиционируют их как мощные (даже в микрокорпусах) и поэтому ставят внутри диод в обратном включении. А есть ли транзисторы без такого диода, чтобы можно было использовать в качестве аналогового ключа?

[Максим Зиновьев]

В мощных мосфетах подложка является стоком, а канал создаётся в области p под затвором. Или вы это опровергаете?

Можно и опровергнуть, но зачем? на вам понравившейся 3. fig подложка это p-body . Вывод от него вам нужен?

Канал, кстати, индуцируется в n- Epi Layer

За ЭТО, кажется, Алфёрову дали Нобельпрайс. Или за V, я уж и не помню. Давно был курсовик по ФХОМЭ

[Turnaev Sergey]

Канал, кстати, индуцируется в n- Epi Layer

Не верю
Канал там даже подписан, он образуется в р области под затвором, в результате притягивания эл. полем затвора электронов. И это становится как правильно сказал Rst7 фактически n область.

Ещё кстати одна проблема с отделением р области: если мы сместим потенциал этой области ниже потенциала истока, то это будет эквивалентно подаче на затвор положительного потенциала, т.е. открытию транзистора.
Чтобы этого не происходило придётся менять потенциал затвора отностительно этой р области, что для высоковольтных транзисторов становится проблемой, поскольку может пробиться переход исток - р-область, или окисел затвор-исток.
Получается замкнутый круг. Поэтому в такой конструкции мосфета невозможно избавиться от диода.
Конечно можно придумывать и применять другие конструкции, но в этой избавиться от диода очень непросто.

А вот в полевиках со встроенным каналом - канал уже и есть n-область, и при повышении напряжения на затворе он становится как-бы еще более n и проводимость увеличивается. А чтобы запереть полевик со встроенным каналом надо подать отрицательное напряжение на затвор.

Обсуждение уже до JFETов дошло.