реклама на сайте
подробности

 
 
> Мощность, рассеиваемая драйвером MOSFET, Как правильно посчитать?
DSIoffe
сообщение Nov 14 2008, 11:01
Сообщение #1


Дима
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 683
Регистрация: 15-12-04
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 1 486



Здравствуйте все!
Смотрю datasheet на драйвер MOSFET ISL55110 http://www.intersil.com/data/fn/fn6228.pdf от Intersil. Там на стр. 12 есть формула для рассеиваемой мощности. Она состоит из четырёх составляющих. Первые три понятные: от статического тока и от тока перезаряда условных внутренних емкостей от двух питающих напряжений. А четвёртая - от тока через ёмкость нагрузки, равная произведению ёмкости нагрузки на квадрат напряжения питания и на частоту.
Разве эта мощность рассеивается в микросхеме драйвера, а не в нагрузке?
Заранее признателен.


--------------------
© CОПЫРИГХТ: Дмитрий Иоффе, Советский Союз.
Приглашаю посмотреть: http://muradowa.spb.ru/ и http://www.drtata.narod.ru/index.html
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
DSIoffe
сообщение Nov 14 2008, 13:07
Сообщение #2


Дима
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 683
Регистрация: 15-12-04
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 1 486



Что-то я не понял. Всё это даже не зависит от сопротивления ключа?


--------------------
© CОПЫРИГХТ: Дмитрий Иоффе, Советский Союз.
Приглашаю посмотреть: http://muradowa.spb.ru/ и http://www.drtata.narod.ru/index.html
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vokchap
сообщение Nov 14 2008, 13:45
Сообщение #3


Профессионал
*****

Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835



Цитата(DSIoffe @ Nov 14 2008, 16:07) *
Что-то я не понял. Всё это даже не зависит от сопротивления ключа?

Не зависит. В пределе КПД заряда емкости через сопротивление - 50%. Чем выше R, тем ближе к 50%. Но R - это сумма внутреннего сопротивления ключа драйвера, внешнего резистора и активного сопротивления затвора транзистора. Эти три величины сравнимы по порядку. Поэтому в самом драйвере от этой составляющей рассеется гораздо меньше, чем . Мощность, затраченная ИП драйвера на управление затвором соответственно в двойку будет больше. Тут удобнее использовать не емкость затвора, а заряд включения. . Грубо половина этой величины пойдет на управление затвором, половина (больше половины реально) рассеится на всех активных сопротивлениях.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Vokchap
сообщение Nov 15 2008, 14:31
Сообщение #4


Профессионал
*****

Группа: Админы
Сообщений: 1 884
Регистрация: 15-07-06
Из: Новосибирск, Россия
Пользователь №: 18 835



Цитата(Vokchap @ Nov 14 2008, 16:45) *
. Грубо половина этой величины пойдет на управление затвором, половина (больше половины реально) рассеится на всех активных сопротивлениях.

biggrin.gif Не точно выразился, сорри. Я имел ввиду при заряде емкости затвора половина потраченной энергии запасается в этой емкости, ~половина рассеивается на всех активных сопротивлениях зарядного контура. При перезаряде емкости вся запасенная в ней энергия рассеивается на той-же сумме 3-х сопротивлений. Поэтому в формуле двойка лишняя. Т.е. что взяли от питания, то половину от этого рассеяли при заряде емкости на всех R, вторую половину рассеяли при её разряде (либо перезаряде, если затвор смещаем в минус). Везде предполагал, что индуктивность в контуре ничтожная.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
2 чел. читают эту тему (гостей: 2, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 25th July 2025 - 09:34
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01402 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016