Думаю, стоит быть реалистом. Технология активного элемента, скажем, pHEMT (AlGaAs/InGaAs/GaAs). Длина затвора 0.25-0.3 мкм (типично 0.4 мкм). Интересно ведь рассмотреть самый пессимистичный случай)) Усилитель по "квазимонолитной" технологии. Пассивная плата на подложке полуизолятора GaAs, все элементы - тонкопленочная технология. Навесной активный элемент - транзистор))). Усилитель, скажем, спроектирован, на следующие согласования:
1) минимальный КСВН по входу (узкая полоса относительно 30 ГГц);
2) компромисс между минимальным коэффициентом шума и КСВН. Увы, шумовая матрица активного элемента отсутствует. Таковы реалии жизни

Соответственно, ориентир на минимальный шум....... вобщем как то вот так))) увы)
На какой шум усилителя, ну и усиление вобщем то можно рассчитывать? Температура комнатная)))
И еще очень злобный вопрос....)) Измерители коэффициента шума отечественного производства на частоты 30 ГГц и выше.... имеются? (серию X5 - ......... рекомендовать в последнюю очередь). Предлагаю развить тему))) Басурмане и технологии монолита с нормами менее 0.15 мкм это, безусловно, круто!

) ... но у нас, как говорится, другой путь... видимо, не от лучшей жизни ((( . но тем не менее. надо ориентироваться на реальность. что, как и где возможно в рамках суровой отечественной действительности?