Вопрос по XC95288-15 Опции

[Tashka]

Здравствуйте, уважаемые!
Нуждаюсь в Вашей помощи по нескольким вопросам. Но сначала предистория...
Я являюсь сопровожденцем при производстве блоков, содержащих ПЛИС в своем составе, но не являюсь разработчиком данных блоков. На данный момент у меня имеется 2 платы, в каждой из них по 2 канала, т.е. по 2 ХС95288-15. Получилось так, что ток потребления в 3-х каналах составляет около 330-350 мА, а в одном - 275 мА при питании 5 В. До прошивки микросхем ток в "хорошем" канале (с низким потреблением) составлял около 60 мА, а вот в "плохих" - чуть ли не 290мА. Прошивки во всех четырех каналах одинаковые-один и тот же файл (через программу IMPACT Web Pack 8.1). При этом блок с этими платами функционирует по всем 4-м каналам. Пытались найти утечку тока, но пока безрезультатно. Разработчик уверяет, что на программном уровне у него неиспользуемые выводы и макроячейки отключены и микросхема находится после прошивки в режме малого потребления.

Вопросы:
1) каков может быть разброс токов потребления у данных микросхем при одинаковых условиях-это вообще нормально, что у меня 3 канала кушают так много, а один в меру;
2) какова зависимость тока потребления ПЛИС данного вида от температуры;
3) о чем говорит большой ток потребления до прошивки, ведь по идее незапрограммированная микросхема не должна вообще что-либо потреблять. Значит ли это, что на 3-х микросхемах что-то было до программирования,а в результате программирования не все ячейки, не задействованные в нашем проекте, отключились;
4) как теперь можно отключить ячейки, стереть все содержимое на микросхеме и установить все ячейки в отключенное состояние, чтобы можно было посмотреть потребеление периферии на плате. Может существует какая-то программка по отключению всех ячеек. Подскажите, где можно найти. Просто стирала в IMPACT, нажатием erase, но при этом ток потребления сильно не упал, возможно нужны какие-то дополнительные параметры для стирания и установки в исходное состояние.

Буду очень признательна любой помощи.

[Tashka]

1. У меня складывается впечатление, что вы измеряете ток не для ПЛИС, а для всего устройства. Это так?
2. Недурно было бы посмотреть ток в статике. Надо сделать прошивку для ПЛИС, в которой выставить пины так, что бы окружение потребляло как можно меньше (ну если есть pullup, то в 1 и т.д.), посмотреть выводы самого устройства - висящих в воздухе входов быть не должно.
3. 4 В на пинах может быть из-за конструкции выходного буфера, когда он делается не на p и n канальных транзисторах, а на двух n канальных. Правда при этом может подтекать входной буфер схемы или окружение ПЛИС.
4. Температуру мерили в рабочих условиях (на частоте) или в статике? Какая частота? Какая температура в статике? Какая температура с "пустой" прошивкой ПЛИС?
А так вообще для одинаковых условий разброс температуры великоват. ИМХО.

Да, кстати, токи по выводам ПЛИС не текут?

dvladim
1 Мы действительно замеряем ток для всего блока, либо для отдельной платы, на которой находится ПЛИС, подпаивыя амперметр на отдельные контактные площадки. Но исследования приводят нас к тому, что основную долю тока потребляет именно ПЛИС.
2 я тоже считаю что это недурно. Надеюсь, что и разработчики согласятся со мной и с Вами
4 температуру мерили в статике. У нас маленькие частоты так что на потребление это не сильно повлияет согласно формуле, приведенной в datasheet на ПЛИС.
Как Вы подразумеваете замерить токи, текущие по выводам ПЛИС? Это вообще реально?


У нас тут другая фишка вскрылась-в "хорошем" канале партия микросхем 2006 года, а в "плохом" 2007. Может быть кто знает, как часто Xilinx меняет технологию производства микросхем, в частности данного семейства. Чем могут отличаться микросхемы разных партий, могут ли быть внутри кристалла серьезные изменения в структуре-укрупнения или уменьшения ячеек, их перестановка? Я где-то читала, что при переходе с 0.6 микрон на 0.5 у пользователей данных микросхем были проблемы. Если программа прошивки создавалась под микросхемы прошлых лет и отрабатывалась на микросхемах старых партий, то ведь сейчас хоть и незначительное изменение в структуре кристалла может привести к тому что прошивка произойдет некорректно и система будет находиться не в оптимальном режиме. Может кто-нибудь с таким сталкивался?