Он не выжил..., помер...
Вчера беда стряслась.
Хроника событий: в работавшей до того на полной мощности схеме - MOSFET 2SK20?? (не помню точно посл. 2 цифры - пишу из дома - сомнительного происхождения, по заявлениям продавца на 900В, 7А пост.тока - на сайте TOSHIBA такого не нашёл..) меняю на ultra-fast IRG4PH30K+диод исток-сток (1200В,20А пост.,40А имп., времена, емкости - вродь в норме).
Через 30сек полёта, не предвещавших беды, испытуемый тихо-мирно ушёл. Лишь зловеще щёлкнул входной предохранитель.
Показания бортовых приборов на момент катастрофы:
Uвых=27В, Pвых=161Вт, радиаторы ключа и вых. выпр. диода - тёплые.
Транс: E42/21/15, первичка 60 витков, зазор 1.9мм, Lp=610мкГн, Np/Ns~6.7,
Fsw=63кГц.
Выпр. напр. на входе 540В, режим работы - DCM, близкий к ССМ - на осцилле видны полпериода колебаний контура Lp(Сdrain+Cсхемы) перед след. включением.
В целом картина абсолютно идентична той, к-я наблюдалась с предыдущим MOSFET-ом.
Извлёк усопшего, поставил на место прежний ключ - работает!
Вобчем, предлагаю сччитать поведение столь солидного полупроводника недостойным, выявить и разъяснить виновного
Задумываюсь о другой топологии. Вот нашёл вариант на ST:
http://www.st.com/stonline/products/literature/an/9172.pdf.
Привлекает то, что на каждом ключе получается напряжение не больше выпрямленного. Очень для меня актуально - БП рассчитан на работу от 380~.
Интересно узнать мнение знатоков.
За любые другие ссылки буду благодарен.