Думаю Вам для начала нужно просчитать импедансы скоростных сигналов. Волновое сопротивление шин данных, клоков, стробов и т.д. между процом и памятью должно составлять 50-60Ом, зависит от конкретных используемых элементов. Далее, задав некую ширину проводников и зазор между ними, вычисляете толщину диэлектрика между сигнальным и опорным слоями. Ну а сколько получится между опорными слоями - это уже как получится. Хотя, если Вы насчитаете толщину ядра в 0,875мм, то вам никто ее именно такой не сделает, потому как толщина ядер выбирается из определенного рядда, а у каждого производителя материалов свои (хотя и близкие у разных) ряды номинальных толщин ядер и препрегов.
--------------------
Тезис первый: Не ошибается лишь тот, кто ничего не делает. Тезис второй: Опыт - великое дело, его не пропьёшь :).
|