Вот возник вопрос в тему. Полистал описание на эту flash от samsung, посмотрел диаграммки ни как не пойиу следующее ----
Согласно описанию линии ALE (выбор адреса) и CLE (выбор команды) должны устанавливаться в активный-высокий уровень во время передачи адреса (ALE-hi, CLE-lo) или команды (ALE-lo, CLE-hi), во всех остальных случаях эти линии надо удерживать в низком (неактивном уровне). Естественно опариции записи адреса и команды происходят при активном уровне на лини CE (выбор чипа, активный уровень - низкий)
Собственно меня интересует ситуация когда микросхема НЕ выбрана и на линии СЕ установлен высокий-неактивный уровень, критичы в этом случае состояния линий ALE и CLE ??? Четкого ответа в описании не нашел.
P.S. Хочу прицепить эту флешку к 51-ому I/O.0-I/O.7 - на порт данных RE - RD строб чтения WE - WR строб записи CE, ALE, CLE, - на разные адресные линии интерфейса внешней памяти, таким образом различные комбинации на этих линиях будут адресовать порт Данных, порт Адреса и Команды.
|