Интерфейс NAND Flash, Кто встречал готовые корки? Опции

[Serega Doc]

Нужно построить итерфейс обмена данными с NAND Flash памятью Не подскажите где можно взять готовую корку и модель NAND памяти?

[fox]

Вот возник вопрос в тему. Полистал описание на эту flash от samsung, посмотрел диаграммки ни как не пойиу следующее ----

Согласно описанию линии ALE (выбор адреса) и CLE (выбор команды) должны устанавливаться в активный-высокий уровень во время передачи адреса (ALE-hi, CLE-lo) или команды (ALE-lo, CLE-hi), во всех остальных случаях эти линии надо удерживать в низком (неактивном уровне). Естественно опариции записи адреса и команды происходят при активном уровне на лини CE (выбор чипа, активный уровень - низкий)

Собственно меня интересует ситуация когда микросхема НЕ выбрана и на линии СЕ установлен высокий-неактивный уровень, критичы в этом случае состояния линий ALE и CLE ??? Четкого ответа в описании не нашел.

P.S. Хочу прицепить эту флешку к 51-ому
I/O.0-I/O.7 - на порт данных
RE - RD строб чтения
WE - WR строб записи
CE, ALE, CLE, - на разные адресные линии интерфейса внешней памяти, таким образом различные комбинации на этих линиях будут адресовать порт Данных, порт Адреса и Команды.

[Postoroniy_V]

Вот возник вопрос в тему. Полистал описание на эту flash от samsung, посмотрел диаграммки ни как не пойиу следующее ----

Согласно описанию линии ALE (выбор адреса) и CLE (выбор команды) должны устанавливаться в активный-высокий уровень во время передачи адреса (ALE-hi, CLE-lo) или команды (ALE-lo, CLE-hi), во всех остальных случаях эти линии надо удерживать в низком (неактивном уровне). Естественно опариции записи адреса и команды происходят при активном уровне на лини CE (выбор чипа, активный уровень - низкий)

Собственно меня интересует ситуация когда микросхема НЕ выбрана и на линии СЕ установлен высокий-неактивный уровень, критичы в этом случае состояния линий ALE и CLE ??? Четкого ответа в описании не нашел.
....

значит невнимательно читали :-)
CE
CHIP ENABLE
The CE input is the device selection control. When the device is in the Busy state, CE high is ignored, and
the device does not return to standby mode in program or erase operation. Regarding CE control during
read operation, refer to ’Page read’ section of Device operation.

DEVICE SELECTION CONTROL о чем нибудь говорит? :-)
мне говорит - можно сделать вывод что нанд флешек может быть несколько
каждая со своим CE
Тоесть если нет активного CE, то на изменения ale и cle нандфлеш не будет реагировать.