реклама на сайте
подробности

 
 
> Обвязка USB для работы SAM-BA на SAM7
AlexBoy
сообщение Mar 26 2009, 13:36
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 205
Регистрация: 19-12-05
Из: Kiev
Пользователь №: 12 394



Как правильно реализовать подтяжку D+ для нормальной работы SAM-BA?
Вариантов встречал много: просто резистор на +3.3, NPN транзистор, PNP транзистор, мосфет.
Какой вариант лучше выбрать и каким пином управлять?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
_4afc_
сообщение Mar 26 2009, 13:50
Сообщение #2


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 262
Регистрация: 13-10-05
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 9 565



Цитата(AlexBoy @ Mar 26 2009, 16:36) *
Как правильно реализовать подтяжку D+ для нормальной работы SAM-BA?
Вариантов встречал много: просто резистор на +3.3, NPN транзистор, PNP транзистор, мосфет.
Какой вариант лучше выбрать и каким пином управлять?

Для нормальной работы именно SAM-BA можно просто повесить на +3.3 1.5кОм, поскольку
она успевает стартовать за время (100мС?) отведенное на инициализацию девайса.

В AT91SAM7Sxxx SAM-BA подаёт 0 на PA16 для включения
А вот кварцевый резонатор для SAM-BA должен быть обязательно 18.432 и быстро стартовать.
Я использовал полевой транзистор IRLML6402, да и то там где моё приложение медленно стартовало.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 31st July 2025 - 21:47
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.0137 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016