Блокировочные конденсаторы по питанию на DSP в BGA корпусе, где размещать? Опции

[vladch]

Есть DSP процессор в BGA корпусе, 179 ног. По правилам, желательно на каждую ногу питания ставить блокировочный конденсатор 0.1uF, но поскольку ноги находятся в средине корпуса и подключаются к внутреннему полигону питания напрямую, мне не совсем понятна роль этих конденсаторов. Некоторое колличество канечно нужно поставить, но на каждую ногу в этом случае не вижу смысла. Другое дело если корпус TQFP, например. Дорожка питания приходит на один контакт конденсатора и потом на ногу DSP сразу, вижу толк, а с BGA не совсем понимаю необходимость.
Кто как трассирует питание на BGA корпуса, и где и сколько ставит конденсаторов?

Сообщение отредактировал vladch - Apr 23 2009, 08:00

[bigor]

Микровиа - согласен. Все получится красиво. И не обязательно с ВОТа внутрь их бить.
Можно пробить земляные и питающие виасы через один сквозное/микровиа/сквозное (правда на 2-й внутренний придется их пробивать, либо земляные, либо питающие - не это ли IPC-2315 Type II? ) и тогда на ВОТе освободится масса свободных площадей.
Только вот стоимость платы в этом случае....
Тут Вы, SM, правильно подметили.
Может все же дешевле смонтировать 0201?

[SM]

Можно пробить земляные и питающие виасы через один сквозное/микровиа/сквозное (правда на 2-й внутренний придется их пробивать, либо земляные, либо питающие - не это ли IPC-2315 Type II? ) и тогда на ВОТе освободится масса свободных площадей.

Type-II это когда есть внутреннее via, которое идет сквозь подложку, но не пробивает buildup-ы. А сами buildup-ы один (топ или боттом) или два (топ+боттом).

Может все же дешевле смонтировать 0201?

Ну разумеется дешевле, я не замечал наценок за 0201, по крайней мере у китайцев. Тут вопрос количества места в целом Так как если взять и 0201 и IPC-2315 одновременно то будет еще круче

[bigor]

Type-II это когда есть внутреннее via,...

Спасибо за разяснение.
Технологически есть разнице между Type-I и Type-II? Или жгется в один проход все? До первой меди, так сказать.

Так как если взять и 0201 и IPC-2315 одновременно то будет еще круче

Несомненно. Но, ИМХО, вполне хватит применения 0201. Если грамотно сформировать коридоры, достаточно места будет для полусотни штук 0201. А этого для обвязки ядра процессора и питания контроллера DDR2 с головой хватит. Обвязку питания I/O можно и по периферии корпуса делать.

[SM]

Технологически есть разнице между Type-I и Type-II? Или жгется в один проход все? До первой меди, так сказать.

Type I:
1. классическое изготовление субстрата - N-слойная плата без сверления.
2. осаждение диэлектрика.
3. осаждение меди.
4. травление меди, включая травление микродырок в меди.
5. Микродырки в диэлектрике (лазер, плазма, химия, вариантов куча)
6. осаждение проводника в микродырки.
8. классическое сверление-металлизация.
9. Все остальное - маски/краски.
Type II:
1. классическое изготовление субстрата - N-слойная плата без сверления.
1.1. сверление via через субстрат.
1.2. Полное заполнение via металлом, или металлизация + заполнение via чем либо, напр. пастой на эпоксидной основе, или проводящей пастой.
2. осаждение диэлектрика.
3. осаждение меди.
4. травление меди, включая травление микродырок в меди.
5. Микродырки в диэлектрике через уже протравленные микродырки в меди (лазер, плазма, химия, вариантов куча)
6. осаждение проводника в микродырки, который соединяет собственно два слоя.
7. классические сверление-металлизация полностью сквозных via и дырок под компоненты.
9. Все остальное - маски/краски.

пункты 2..6 повторить для каждого buildup слоя, т.е. или топ, или боттом, или оба.

Так что технологическое различие - пункты 1.1 и 1.2

Касаемо 1.2 - есть технологии, где дырки на этом этапе не "шпаклюют", а они сами заполняются на этапе 2 диэлектриком, но потом как бы 2.1 делают CMP для выравнивания поверхности. Но это уже нюансы, суть то та же.

Если несколько buildup на одной стороне субстрата, то добавляется после 6 еще и полировка, чтобы следующий buildup слой не был деформирован низлежащими via. Но это уже Type III и IV

"До первой меди" - такого я не слышал. Но есть варианты, когда дырявится "насквозь" два или три buildup-а за раз, но это опять типы III, IV. И при этом подключение медь-медь все равно только меж двух слоев, нельзя такую дырку сделать для соединения трех сразу. Но я и недопонимаю смысла в этом деянии, когда можно стеком микровиа расположить.

Скачайте документ в конце концов, Вы же "свой". Там все это с картинками Правда без части подробностей технологических.

[bigor]

Скачайте документ в конце концов, Вы же "свой".

После введения процедуры автосмены паролей постигла меня печальная участь многих.
Пресловутое "not connected 2" ...
Не могу на закрома добраться.

Правда без части подробностей технологических.

А они и интересут в особенности.

"До первой меди" - такого я не слышал. Но есть варианты, когда дырявится "насквозь" два или три buildup-а за раз, но это опять типы III, IV.

Именно прямой прожиг с L1 на L3 меня и интересовал.

И при этом подключение медь-медь все равно только меж двух слоев, нельзя такую дырку сделать для соединения трех сразу.

Конечно не для трех. Только с L1 на L3, минуя L2 вообще. Так, что бы даже площадки в нем не было.

Но я и недопонимаю смысла в этом деянии, когда можно стеком микровиа расположить.

При стековых микровиа вводятся дополнительные техпроцессы, увеличивается количество пресований....
Все это влияет на стоимость изготовления и надежность конструкции.
Кстати. Описанный Вами техпроцесс для Type II как то очень напоминает техпроцесс изготовления стековых микровиа.
P.S. За разьяснения - одтельное спасибо.

Если выставлять в "кресте" то каким "предпочтение" по 1.2В или 3.3В?

1.2В. Питание ядра. Поскольку и потребляет больше, и работает на более высокой частоте.

[SM]

Именно прямой прожиг с L1 на L3 меня и интересовал.
При стековых микровиа вводятся дополнительные техпроцессы, увеличивается количество пресований....

IPC2315 не прессуют!!! Процесс как брат родной процессу изготовления металлизаций ИМС. Все прессования - это только изготовление подложки, и собственно microvia не касаются. В подложке, которая представляет собой классическую МПП, только сверленые via. А остальные слои, в которых травятся microvia, наносятся напылением/осаждением. Там препреги не используют! В них микровиа не делают! (попробуй, протрави стеклоткань, даже плазмой , слишком неравномерный материал, это не дырка получится, а... [censored]. Да и лазером жечь его те же вопросы. Эпоксидка жжется так вот на раз, а стекло - эдак, а то и вообще никак ) Да и макс. допустимая толщина для диэлектрика под микровиа порядка 100-120 микрон.

Что касается прямого травления диэлектрика L1->L3 - это дополнительное усложнение техпроцесса по сравнению со стеком. Так как в любом случае есть microvia L1->L2 и L2->L3, то изготовление переходнушки L1->L3 это отдельное дополнительное травление с другими параметрами, нежели два необходимых травления L1->L2/L2->L3. То есть - стек из L1->L2+L2->L3 технологически проще, чем дырка L1->L3. Да, при этом в некоторых вариантах технологий на L2 будет КП. Но именно в некоторых, это не догма. В других некоторых будет сделана дырка L2->L3, заполнена металлом, и над ней потом сделана L1->L2. А на L2 собственно меди нет. И нет доп-процесса дырявливания L1->L3. Правда в третьих, более дешовых и простых - вообще нельзя делать стек via-над-via, а только staggered. Вдогонку, отверстие L1->L3 получается с большим диаметром, чем L1->L2+L2->L3. Так что отсутствие КП на L2 ничего может и не дать в выигрыше по площади... А в проигрыше по цене - еще как может.

Но, опять же, это не касается ни Type-I, ни Type-II. Там нет L2, там нет L3. Там с каждой стороны от подложки допустим только один L1.

Вот, изучайте:

Прикрепленные файлы

 IPC_JPCA_2315_L_.pdf ( 556.29 килобайт ) Кол-во скачиваний: 4671

 

[bigor]

Вот, изучайте:

За документ спасибо. Правда изучать там особо нечего. Все давно уже известно и не раз применялось.

Там препреги не используют! В них микровиа не делают! (попробуй, протрави стеклоткань, даже плазмой , слишком неравномерный материал, это не дырка получится, а... [censored].

Еще как используют и слепые отверстия изготавливаются с успехом.
Для этих целей используются специальные препреги, например: 106LD, 1080LD - специально предназначенные для прожига лазером.
В указанном Вами стандатре в качестве buildup материалов используется либо RCC, либо уже названные препреги. А это значит, что без дополнительных прессований структуры никак не обойтись. Потому тезис "остальные слои, в которых травятся microvia, наносятся напылением/осаждением" меня несколько смутил. Может Вы имели в виду фото- или термооотверждаемые диэлектрики?