Тестирование мощных кристаллов из арсенида галлия, Подскажите, у кого есть опыт работы с несмонтированными кристаллами Опции

[dpss]

Простите , если не совсем по теме, но более подходящего раздела я не нашел. Мне предстоит сделать приспособление для тестирования и разбраковки
несмонтированных кристаллов из арсенида галлия. Кристаллы имеют золотую металлизацию толщиной 4-5 микрон на верхней и нижней плоскости.
При тестировании кристалл будет сжиматься плоскопараллельными золочеными медными водоохлаждаемыми брусками. Неплоскостность и шероховатостоть контактных поверхностей будет около 0.5 микрона . Вопрос у меня такой - какую максимальную безопасную удельную нагрузку можно прикладывать к кристаллу из арсенида галлия ? Размеры кристалла 1x10x0.135 миллиметра.

Сообщение отредактировал dpss - Jun 5 2009, 15:46

[khach]

А какие режимы тестирования предполагаются? Если полный ток- мощность- то забудьте как страшный сон. Если только порог генерации поймать - то сильно давить и ненужно. Но имейте ввиду- одноосное напряжение кристалла может приводить к разнообразным "эффектам" гораздо раньше чем он растрескается или начнут менять свойства зеркала.

[DS]

А какие режимы тестирования предполагаются? Если полный ток- мощность- то забудьте как страшный сон. Если только порог генерации поймать - то сильно давить и ненужно. Но имейте ввиду- одноосное напряжение кристалла может приводить к разнообразным "эффектам" гораздо раньше чем он растрескается или начнут менять свойства зеркала.

Насколько я понимаю, ему потом их все равно придется к лазеру приделывать, т.е. решать те же проблемы. Про давление - тут не тот порядок величин.

[khach]

Насколько я понимаю, ему потом их все равно придется к лазеру приделывать, т.е. решать те же проблемы. Про давление - тут не тот порядок величин.

К теплоотводу лазера они обычно индием припаиватся в защитной атмосфере, чтобы флюсом зеркала не повредило. А нидий мягкий как масло при небольшом подогреве. Так что механических напряжений там при плавном остывании нет. Надо только чуть придавить кристалл при пайке чтобы индий в каплю не собрался и не приподнял кристалл из-за сил поверхностного натяжения. И толщину фольги индия перед пайкой правильную выбирать надо, чтобы наружу тоже не вылазил при придавливании.
А на прижим, когда надо золото деформировать для достижения плоскости контакта, да и слои оксидов остаются в контакте- уж извините "не верю". Тем более по теплу- ну несможет охлаждаться кристалл без пайки к рассеивателю тепла. Если бы это были СВЧ транзисторы- то там ситуация немного другая- площадь контактов большая, а сам транзистор в стороне от них находиться. Но и там на пластине только импульсно тестируют, т.к теплоотвода нет такого как у корпусированного транзистора.