Как я понял основные специалисты измеряют мощные транзисторы и на низких частотах.
1. А зачем вам S-параметры для мощных транзисторов?, ведь вы при постановке задачи нарушили основные концепции S-параметров. (S-параметры - параметры малосигнальные). Это первая погрешность которая у Вас вкралась. Потому что Вы разогнали свой транзистор до P1db или еще хуже до P3db.
2. Погрешности при измерении и калибровке, особенно по фазе! у вас еще сильнее сведут ваше творчество к нервному стрессу.
3. Если вы измеряли параметры транзисторов то:
3.а. Есть ли повторяемость параметров у транзисторов?
3.б. Сходятся ли Ваши измеренные модели с реальными (отрегулированными) платами. Или потом как обычно все индием залеплено.
Может мы говорим не о том? Может S-параметры правельнее применять для расчета других цепей? (например малошумящих транзисторов)
Цитата
Isomorphic
....., затем вынимал транзюк и обмерял полученные импедансы вх и вых. цепи на настроечной плате........
Можете набросать эскизик схемы измерения? (Цепь согласования содержит 2 порта (вход и выход), если к одному порту подключен анализатор то к другому подключен .....). Как калибруется это что то что подключено ко второму порту? Какая конструкция у этого чегото?
Цитата
очень низкие - 0,5...1 Ом и точный замер просто невозможен.
1. Почему? измеряют ведь ESR конденсаторов при помощи E4396 а это тотже векторник, но с установленной програмкой пересчета матрицы рассеивания.
2. Как Вы оцениваете погрешность измерения? может она у Вас превышает измеряемый параметр и поэтому вам показалось, что точный замер не возможен.