Цитата(EUrry @ Jul 5 2009, 00:11)
Как-то не "вставляет" сейчас столько английского перерабатывать, тем более с переводом таких тонких терминов могут возникнуть неоднозначности... Поэтому объясните мне Вашу фразу:
В чём по Вашему смысл малосигнальности? Давайте уж определимся с терминами.
Прошу прощения, я погорячился с личностями.
Привожу Вам статью где дано определение малосигнальности.
На стр.11 по файлу* (или 1-4) первая строка на листе(Перевожу как умею):
S-параметры полностью определяют поведение устройства при малом сигнале.И мой коментарий - малый сигнал, характеризует устройство находящееся на линейном участке своей характеристики. Будь то, диод в открытом состоянии или транзистор в режиме А. Если же устройство начинает вносить нелинейные искажения, например сигнал становится большим, нужно описывать устройство другими, нелинейными характеристиками (например SPICE моделями).
Мощные транзисторы работают на участках с искажениями, обычно в точке с компрессией P1db (обусловлено получением максимального КПД). Вот от туда и растут ноги.
Достоинства и недостатки обоих видов моделей думаю Вы знаете....По поводу S-параметров отечественных транзисторов:
Мое предположение. Технологии изготовления не позволяют получить повторение характеристик транзисторов (большой разброс параметров). Поэтому нет смысла приводить, то что изменяется очень сильно.
Вы измеряли характеристики отечественных транзисторов? повторяются ли характеристики от транзистора к транзистору в пределах партии или от партии к партии?
* - Прошу прощения прикрепить файл не получается, размер 5Мбайт.
Название: "S-parameters...Circuit Analisis and Design (AN 95) Agilent
Номер документа: 5952-0918
Издание: Сентябрь 1968
S-параметры
May 27 2009, 07:50
