Быстрая запись в EEPROM АТмеги128, Можно ли ждать 8 мс не после кажого байта, а после каждой страницы? Опции

[Zlumd]

В даташите на АТмегу128 сказано, что перед записью каждого байта в EEPROM, нужно дождаться когда флаг EEWE в регистре EECR сбросится в ноль и потом писать. На это ожидание уходит около 8 мс. Если записывать за один раз много байт, то получается слишком долго.
В разделе Parallel Programming написано, что размер страницы EEPROM 8 байт. Значит ли это, что я могу переделать процедуры записи в EEPROM так, чтобы они писали за один раз целую страницу из 8 байт, и уже потом делалось ожидание бита EEWE ? Кто-нибудь пробовал так делать?
P.S. Пишу на IAR v5.11B.

[defunct]

Значит ли это, что я могу переделать процедуры записи в EEPROM так, чтобы они писали за один раз целую страницу из 8 байт, и уже потом делалось ожидание бита EEWE ?

Так, увы, сделать нельзя.
Но, Вы можете воспользоваться прерыванием EE READY и буферизировать самостоятельно столько данных, сколько нужно.

[Zlumd]

Так, увы, сделать нельзя.
Но, Вы можете воспользоваться прерыванием EE READY и буферизировать самостоятельно столько данных, сколько нужно.

Увы, все 4КБ оперативки забиты до отказа. Поэтому я в будущем хочу перейти на Хмегу с внешней SDRAM. Кстати, никто не знает доставабельную 8-разрядную SDRAM 8 или 16 МБайт с температурным диапазоном от -40 градусов?

[defunct]

Увы, все 4КБ оперативки забиты до отказа. Поэтому я в будущем хочу перейти на Хмегу с внешней SDRAM.

можно к m128 подцепить SRAM, при условии что 32-64KB хватит.

Кстати, никто не знает доставабельную 8-разрядную SDRAM 8 или 16 МБайт с температурным диапазоном от -40 градусов?

http://www.micron.com/products/dram/sdram/partlist.aspx
Поидее все доставабельные.