Быстрая запись в EEPROM АТмеги128, Можно ли ждать 8 мс не после кажого байта, а после каждой страницы? Опции

[Zlumd]

В даташите на АТмегу128 сказано, что перед записью каждого байта в EEPROM, нужно дождаться когда флаг EEWE в регистре EECR сбросится в ноль и потом писать. На это ожидание уходит около 8 мс. Если записывать за один раз много байт, то получается слишком долго.
В разделе Parallel Programming написано, что размер страницы EEPROM 8 байт. Значит ли это, что я могу переделать процедуры записи в EEPROM так, чтобы они писали за один раз целую страницу из 8 байт, и уже потом делалось ожидание бита EEWE ? Кто-нибудь пробовал так делать?
P.S. Пишу на IAR v5.11B.

[sensor_ua]

Увы, все 4КБ оперативки забиты до отказа. Поэтому я в будущем хочу перейти на Хмегу с внешней SDRAM.

Для начала можно посмотреть на ATmega2561 с 8K SRAM на борту и pin-2-pin совместимую со 128-й. А насчёт SDRAM и xmega были слышны отрицательные моменты - http://caxapa.ru/160029.html. Как вариант SPI FRAM или SRAM.
Но, думаю, что в большинстве случаев можно для начала постараться утоптать программу на предмет увеличения свободного ОЗУ за счёт ПЗУ.

[Zlumd]

А насчёт SDRAM и xmega были слышны отрицательные моменты - http://caxapa.ru/160029.html.

Посмотрел внимательно. Дейстительно ATXmega128A1 может только с 4-разрядной SDRAM общаться.

http://www.micron.com/products/dram/sdram/partlist.aspx
Поидее все доставабельные.

Среди 4-разрядных на этой странице все чипы только от 0 градусов. У самсунга из 4-х разрядных чипов только 256 Мбит, которые в ХМеге не подключишь. Так что облом получается.