реклама на сайте
подробности

 
 
> Управление, Управление потенциальным транзистором
jackBU
сообщение Oct 27 2005, 09:00
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 140
Регистрация: 24-10-05
Пользователь №: 10 028



Посоветуйте варианты и "железо" управления IGBT под высоким потенциалом (15-20кВ).
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
jackBU
сообщение Nov 14 2005, 12:46
Сообщение #2


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 140
Регистрация: 24-10-05
Пользователь №: 10 028



Деньги есть, но этот вариант слишком дорого, так как нужно сделать силовой коммутатор на ток в импульсе до 300 А, под напряжением до 20-25кВ. Ясно, что здесь нужна матрица транзисторов соединенных последоватеьно-параллельно. Проблем две: защита(динамическая) и управление под потенциалом(т.е. изоляция).
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 23rd July 2025 - 16:14
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01332 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016