согласование на минимум коэффициента шума Опции

[strelok.nov]

Всем привет. Возник вот какой вопрос. В Microwave office, рассматриваю ПТШ (модель FETN) с проволочками по истоку, стоку и затвору. Порты 50 Ом. Строю график NFMIN в полосе частот (11 ... 13 ГГц). Далее, на вход и выход устройства добавляю согласующие цепи и оптимизирую их параметры на получение NFMIN четырехполюсника. Так вот при определенном наборе значений согласующих элементов на входе получаю коэффициент шума меньше, чем NFMIN для просто ПТШ. Как такое может быть? Получается, что машина просто математической оптимизацией подбирает значения элементов, которые вобщем то не имеют физическоко смысла или как? В качестве согласующих использовал сосредоточенные индуктивности... в дальнейшем планируя перейти на микрополоски, но вот уже столкнулся с не очень понятным моментом. Кто что подскажет?) прошу высказаться...) Заранее, спасибо

[strelok.nov]

Здравствуйте всем) Очень долго не отвечали, начал разбираться сам) На данный момент вопрос такой. Подобная ситуация с коэффициентом шума возникает только при наличии обратной связи в истоке (индуктивность). В случае, если исток на земле коэффициент шума при любой нагрузке на входе не меньше минимального Кш. Получается, что все только из-за обратной связи? Кстати, как посмотреть коэффициент отражения на входе транзистора при наличиии в схеме цепей согласования? (интересует именно сечение входа тр-ра). Чтобы реально увидеть, что коэффициент отражения больше 1.

[sp1noza]

Кстати, как посмотреть коэффициент отражения на входе транзистора при наличиии в схеме цепей согласования? (интересует именно сечение входа тр-ра). Чтобы реально увидеть, что коэффициент отражения больше 1.

В MWO есть такая возможность - с помощью элемента Gamma Probe измерить коэффициент отражения внутри схемы, находится этот хитрый элемент в MeasDevice->Probes->Gamma Probe. Вставляем куда надо, выбираем измерение в Linear->GAM_GP (точно не помню) и смотрим. Но я все-таки бы посоветовал вам проверить модель транзистора.

[strelok.nov]

В MWO есть такая возможность - с помощью элемента Gamma Probe измерить коэффициент отражения внутри схемы, находится этот хитрый элемент в MeasDevice->Probes->Gamma Probe. Вставляем куда надо, выбираем измерение в Linear->GAM_GP (точно не помню) и смотрим. Но я все-таки бы посоветовал вам проверить модель транзистора.

Подскажите, как пользоваться этим интструметом (Gamma Probe)? Четыре порта и как включать в схему. Лучше примеров в MWO. Заранее спасибо.