Пригляделся внимательней к условиям работы транзистора в применяемой схеме и понял, что требования к транзистору надо подкорректировать. Работает он на линию через импульсный трансформатор, на выходе есть защита, но она не спасает полностью от импульсных воздействий на транзистор. Выводы такие: а). Допустимое напряжение нужно побольше, 30В - 40В. б). Диод, имеющийся в полевых транзисторах, защитит от отрицательных импульсов ( в схеме есть резистор, который ограничит ток через диод ) - значит нужен полевик. Понятно, что круг подходящих изделий сужается. Перетряхнул остальные ограничения, посмотрел, что можно еще выжать. Время включения/выключения можно выбрать до 30нсек. Есть такой транзистор BSS138N ( именно N ) фирмы Infineon. Вроде подходит, ну а время включения/выключения придется и правда моделировать. Вот только последний раз я моделировал в Оркаде несколько лет назад, теперь осваиваю Альтиум, две платы сделал, но за моделирование в нем еще не брался.
|