Мощность транзистора, Мощность транзистора - что это, и на что влияет? Опции

[AVDEY]

Два вечера сижу в нете и не могу понять, что такое рассеиваемая мощность транзистора (Ptot,Pd, Total Disspation).
Есть, например, реле (докуменирование параметры V=5v, I=80mA, P=400mW) и если посчитать по формуле P=5*0.08=0.4W. Здесь все понятно.
А транзистор, Ток колектора Ic Collector Curent - Continuous 1.2A, VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 45 V, VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 50 V, PD Total Device Dissipation 350mW Derate above 25°C 2.8 mW/°C.
Как понять "рассеиваемая мощность", как она рассчитываться, на что влияет, и можно ли использовать такой транзистор для включения такого реле?
Заранее всем спасибо.

[AVDEY]

"Eсли бы на базу я подал напряжение через делитель U*300/600 =2,5V"
Я имел ввиду ели использовать транзистор, например, так:
 shem.bmp ( 15.39 килобайт ) Кол-во скачиваний: 96

"2. Pс = Vce (sat) * Ic = 0.7*0.1 = 70mW;"
Но разве в ДШ не сказано, что 0,7V єто падение напряжения при токе I_C=0,5A а I_B=50mA,
а 1,2V ето при напряжении эмиттер коллектор V_CE=1V, и при токе коллектора 0,3A.
Допустим если реальные значения меньше, то ничего страшного, а если I_B=80mA, I_C=0,7A, V_CE=5V тогда что?

[XVR]

"Eсли бы на базу я подал напряжение через делитель U*300/600 =2,5V"
Я имел ввиду ели использовать транзистор, например, так:
 shem.bmp ( 15.39 килобайт ) Кол-во скачиваний: 96

Делителя не получится. Верхняя половина переменного резистора будет зашунтированна прямосмещенным базовым переходом, а ток базы будет в основном определяться нижней половиной резистора

"2. Pс = Vce (sat) * Ic = 0.7*0.1 = 70mW;"
Но разве в ДШ не сказано, что 0,7V єто падение напряжения при токе I_C=0,5A а I_B=50mA,

Падение напряжения коллектор-эмиттер мало зависит от от тока коллектора, но если вам хочется точности, то см. рисунок 3 в даташите, при вашем токе это будет 50mV (что еще меньше, чем 0.7V)

а 1,2V ето при напряжении эмиттер коллектор V_CE=1V, и при токе коллектора 0,3A.

Смотрите рисунок 4 (это будет 0.9V в наихудшем случае)

Допустим если реальные значения меньше, то ничего страшного, а если I_B=80mA, I_C=0,7A, V_CE=5V тогда что?

При Vce 5V транзистор просто испарится, это явно не состояние насыщения Ib делать 80mA нет никакого смысла - все уйдет в тепло (возьмите ее как Ic/hFE1*2 = 4mA). А рассеиваемая мощность в основном определяется Ic. Vce sat можете смело брать 0.7V, получите оценку сверху.

Сообщение отредактировал XVR - Nov 9 2009, 08:11