Эмиттерный повторитель, Теоретический вопрос. Опции

[131959G]

Очень часто простые вопросы меня ставят в тупик.
Вот вопрос:
Может ли транзистор в схеме простейшего каскада с ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ в виде эмиттерного повторителя оказаться в режиме НАСЫЩЕНИЯ????
Если ДА, то как его завести в такой режим?
Если НЕТ, то почему НЕТ?

[тау]

А разве время рассасывания не связано с током разряда? Тогда зачем указывать время, если изменив ток разряда оно может очень измениться?

Указывают для ориентировки и только. Сколько примерно будет при данных условиях насыщения (температура, ток коллектора, ток базы прямой) и условиях разряда (ток коллектора и обратный ток базового вывода)
Время рассасывания нелинейно зависит от тока разряда базы . При нулевом токе базы время рассасывания не будет бесконечным и будет сильно зависеть от тока коллектора в этот момент. Но также и при нулевом токе базы и нулевом токе коллектора рассасывание также произойдет через некоторое время. В практических схемах кроме тока разряда базы еще очень существенную роль играет траектория тока разряда базы во времени. При неоптимальной траектории тока разряда базы (например очень резким и большим током или очень малым током ) после выхода из насыщения медленный спад тока коллектора в динамическом переходном процессе может вызывать большие потери на нагрев (для мощных биполярных транзисторов).

[GetSmart]

В практических схемах кроме тока разряда базы еще очень существенную роль играет траектория тока разряда базы во времени. При неоптимальной траектории тока разряда базы (например очень резким и большим током или очень малым током ) после выхода из насыщения медленный спад тока коллектора в динамическом переходном процессе может вызывать большие потери на нагрев (для мощных биполярных транзисторов).

Допустим есть ключевой каскад. Какую такую существенную (неоптимальную?) роль может сыграть очень резкий/большой ток разряда базы? Например в схеме на картинке. То есть максимально быстрый разряд базы до нуля, когда эффект миллера полностью нейтрализуется.

SM, в моделях есть такое свойство как токовое насыщение?

131959G, в схеме на картинке первый каскад с ОК и он тоже входит в глубокое насыщение, как и второй каскад с ОЭ. Собственно, каскады по очереди меняются насыщениями

Сообщение отредактировал GetSmart - Nov 28 2009, 20:28

Эскизы прикрепленных изображений

 

[тау]

Какую такую существенную (неоптимальную?) роль может сыграть очень резкий/большой ток разряда базы? Например в схеме на картинке. То есть максимально быстрый разряд базы до нуля, когда эффект миллера полностью нейтрализуется.

неоптимальность мощного ключа будет выражена в медленной скорости спада тока коллектора , когда напряжение на коллекторе начнет расти. Если у Вас с динамическими потерями в этой схеме все нормально, то пускай будет так как нарисовано . Но есть "плохие " высоковольтные транзисторы, у которых время спада тока коллектора 0,6...1,5 мкс, напряжение на коллекторе поднялось например до нескольких сотен вольт , а ток еще составляет амперы (допустим в насыщении было 10А) . Если Вам надо в этой схеме снижать динамические потери, то управление вторым транзистором потребуется переделать.
То что Вы говорите о разряде: "быстрый разряд базы до нуля" то это не совсем точное описание процесса. Предположим, потенциал Вы сравняли с эмиттером, но заряд еще не исчез в объеме кристалла (про микрофарады SM расчет показывал).
Про полную нейтрализацию эффекта Миллера тоже говорить нельзя в этой схеме. Заряд Миллера в этой схеме по-любому пройдет через первый транзистор , после выхода из насыщения второго транзистора. Миллер нейтрализуется в схеме с общей базой, когда заряд миллеровской емкости уйдет в цепь земли минуя цепь управления, подключенную в эмиттер.

[GetSmart]

неоптимальность мощного ключа будет выражена в медленной скорости спада тока коллектора , когда напряжение на коллекторе начнет расти.
...
Если Вам надо в этой схеме снижать динамические потери, то управление вторым транзистором потребуется переделать.

Это ещё почему? Или по сравнению с чем? По сути, в схеме сделано всё, чтобы скорость спада тока (нарастания U на коллекторе) была максимальной. Что не так, или что и как ещё можно улучшить?

То что Вы говорите о разряде: "быстрый разряд базы до нуля" то это не совсем точное описание процесса. Предположим, потенциал Вы сравняли с эмиттером, но заряд еще не исчез в объеме кристалла (про микрофарады SM расчет показывал).

То, что он не исчез внутри - это неизбежность. ИМХО формально "снаружи" я сделал всё для того, чтобы заряд исчез максимально быстро. Опять же невидя альтернативы (которой я не знаю) утверждать на 100% рано.

Про полную нейтрализацию эффекта Миллера тоже говорить нельзя в этой схеме. Заряд Миллера в этой схеме по-любому пройдет через первый транзистор , после выхода из насыщения второго транзистора. Миллер нейтрализуется в схеме с общей базой, когда заряд миллеровской емкости уйдет в цепь земли минуя цепь управления, подключенную в эмиттер.

При полном выводе базы из режима проводимости не может быть эффекта Миллера. Причём в ОБ для высокопольтных транзисторов (у которых большие внутренние R) эффект Миллера будет аналогичным как в моей схеме, т.к. ёмкость коллектора будет влиять на переход БЭ напрямую, а уж потом через относительно высокое сопротивление базы уходить в питание/землю. То, что в моей схеме эффект Миллера второго каскада (ОЭ) будет влиять на ток в первом каскаде я и не спорю, но на скорость переключения ОЭ это не повлияет. Для высоковольтных транзисторов было бы уместно смещать базу вообще в отрицательную область. Припоминаю, видел схему ЗУСЦТ телевизоров и там чиста электролитом загоняли в базу минусовое напряжение.