"Прямое" восстановление диода, Diode Forward Recovery Опции

[gyrator]

Приличные фирмы для солидных изделий приводят графики этих зависимостей.

Если не затруднит, то дайте пожалуйста ссылочку на оные графики от "приличных фирм".

Вы действуете ровно наоборот: сначала идет действо "доказательства в студию" - вывешиваете "простыню" симулятора без идентификации графиков(я-то, допустим, разберусь в этих графиках, если захочу, а другие?)

Если Вы такой политкорректный и правильный, то должны терпимо относится и к "неправильному" коллеге, бо в противном случае ваша политкорректность-....... А что касаемо графиков так я, как правило, "прикалываю" вверху фотообоины схемку и любой желающий может найти соответствие цвета графика и позиц. обозначения ЭРЭ. Ну, а кто не может, стало быть им это и не нужно.
Вопрос о том почему делают- не делают не совсем корректный, т.к. я показываю всего лишь свои соображения, упакованные не в словеса, как здесь принято, а в схемульки с кривульками. ИМХО, разработчики всё же не гуманитарии и им больше подходит показывать друг-другу результат симуляции или фотосы конструктивов, а не буквы. Даже "померяться бубуками" с помощью букоф весьма затруднительно и лучше продемонстрировать внешний вид оного прэдмета.

Симулятор он жеж как бумага, все стерпит)))

Симулятор-он такой, однако, (приходиться повторяться) здесь предпочитают бумагу.

Сообщение отредактировал gyrator - Nov 29 2009, 19:56

[лосев]

Тема отделена от "Проектирование БП средней мощности без конвекционного охлаждения"

Этот параметр называется Vfr -Forvard recovery voltage
и если фирме есть чем похвалится в этом плане- обязательно
хвалятся- мол у нас 2,5 вольта бывает не более 20нс.
И схемку приводят как мерять.
Или вообще крупными буквами- NO FORVARD RECOVERY!!!!
Так значит в остальных было?
А чего замалчивали? Хвалится нечем?
А вот когда нечем похвалится, приходится самому делать им анализы.
Чего они там умалчивают.
А без анализов и получается- никак не смог побороть выброс на диоде,
и поэтому забросил флай.

Все это последствия маркетинга- вложились в производство фаст-реверс-рековери
и теперь проталкивают их везде, а во флае выключение диода идет
при нулевом токе и этот параметр ему как собаке пятая нога.

Сообщение отредактировал Vokchap - Dec 9 2009, 09:39

Причина редактирования: Разделение темы

Эскизы прикрепленных изображений

 

[лосев]

В том то и дело, что схема у него совсем другая, он писал- буст.
И смотреть в точке где большая синфазная помеха бестолку- что тектрониксом
что С1И .

Поскольку нам тут выделили отдельную поляну, можно поконкретнее поговорить
про диоды.

Вот схема генератора выдающая импульсы в сотни и тысячи ампер с фронтом в нано и пикосекунды.
Здесь используется свойство диода при закрывании резко обрывать ток.
Этот диод принято называть ДНЗ -диод с накоплением заряда, хотя это самый обычный диод.
Все они имеют свойство накапливать заряд.
Подбирают только специально тот который резче закрывается.

В первый момент от низковольтного источника через L1 накачивают прямой ток в ДНЗ.
Затем подают через L2 высоковольтный импульс отрицательной полярности.
Примерно через микросекунду ДНЗ закрывается, и в этот момент вся энергия накопленная
в L2 прикладывается к тестовому диоду.
За счет выполнения дросселей L1 L2 в коаксиальном виде, паразитные емкости в схеме отсутствуют,
и фронт напряжения на диоде получается тоже резким.
А поскольку он в первый момент еще не проводит ток- носители разделены инверсным слоем,
то можно даже достичь пробоя тестового диода прямым для него напряжением.

Буржуи лукавят в своих даташитах, используя для ключа полевик-
там фронт тока не менее десятков наносекуд , и картинка получается не такой страшной.

А разговоры насчет реальности такой ситуации в аппаратуре- это разговоры.
Все реально. И молнии в ЛЭП и обычный двухполупериодный выпрямитель в импульсном источнике.
Когда один из диодов закрывается - возникает точно такая ситуация.

Для её избежания разрабатывают диоды с мягким выключением, вещают ферритовые бусинки на выводы, ставят демпфирующие цепочки- все это есть. Все это реалии.

Сообщение отредактировал лосев - Dec 10 2009, 14:09

Эскизы прикрепленных изображений

 

[IVX]

лосев, ну ок, если "всё это реалии", то каким образом я не имею проблем с 1000вт (2КВт пик) бустом (12в->70в) и не наблюдаю никаких необъяснимых .5мкс спайков на шоттке? Что толку в борьбе с эффектом на 100вт флаях, если его нет даже в такой ацкой машине, как 200А буст?
НЕХ, странные вещи говорите.. я на той неделе потестил несколько диодов и обнаружил эффект только на 1n4004 и fr104, на murs120, mur1620 и шоттках ничерта не было.

Сообщение отредактировал IVX - Dec 10 2009, 15:47

[лосев]

лосев, ну ок, если "всё это реалии", то каким образом я не имею проблем с 1000вт (2КВт пик) бустом (12в->70в)

Прадлагаете в конкурс ясновидящих поиграть?
Не видя схемы описать все проблеммы в ней?

Попробую. Стандартно- затягиванием фронтов переключения можно уйти от пиков на диодах.
Но это динамические потери на ключе. Один плюс и один минус.
Напряжения небольшие . Можно было бы переключать и побыстрее.
Похолоднее ключи будут.
Что то не дает?

[IVX]

Прадлагаете в конкурс ясновидящих поиграть?
Не видя схемы описать все проблеммы в ней?

Попробую. Стандартно- затягиванием фронтов переключения можно уйти от пиков на диодах.
Но это динамические потери на ключе. Один плюс и один минус.
Напряжения небольшие . Можно было бы переключать и побыстрее.
Похолоднее ключи будут.
Что то не дает?

55013 не даёт, хотя при моих 30нс переключения (и кстати кпд 97%), что 17 раз быстрее чем .5мкс, я наблюдаю порядка 10в/20нс спайки на мосфете, которые неплохо снижаются добавлением мелкой SMD шоттки параллельно большой шоттке, а также хорошо коррелируют с оптимальностью лэйаута рсв, из чего лично я делаю вывод, что на спайки работает индуктивность конструктива, а 500нс форвад рекавери для шоттки -брехня, как и микросекунды на ултрафастах. Не знаю, может на какой-то ссср рванине этот эффект в описанном вами виде и есть, не мерил

Vokchap, НЭТ, не сотый тек.

[лосев]

55013 не даёт,

Посмотри у Володина в теоритических вопросах тему снабберы,
я там два дня назад модельку выложил.
Там все просто- с твоими токами 0,5 нс и кпд99 можно.

[IVX]

Посмотри у Володина в теоритических вопросах тему снабберы,
я там два дня назад модельку выложил.
Там все просто- с твоими токами 0,5 нс и кпд99 можно.

и последний вапроц: лосев, кто вы? Где ваши дизайны с .5нс 200А 99% кпд и без проблем с 55013?

[лосев]

и последний вапроц: лосев, кто вы? Где ваши дизайны с .5нс 200А 99% кпд и без проблем с 55013?

Что такой невнимательный. У Валентина я написал об этом.
Конечно аппаратики для музычки ныне доходный бизнес,
я и сам люблю это дело, но как любитель.
А токи у меня к твоим еще ноликов несколько добавить.
Посмотри - не такое денежное увлечение но не менее интересное.
http://www.vniief.ru/directions/reseach/oblazer/
Вот там большой цех с кондерами и диодами и есть "дизайн блока питания".
В накачке лазеров никуда без килоампер и пикосекунд.
И переключаются нормально. Надо только правило из щкольной физики помнить
про контур тока. Не меняй его размеры.

Сообщение отредактировал лосев - Dec 11 2009, 11:29

[IVX]

никакого валентина не знаю и сильно сомневаюсь, что вы вообще в теме относительно 55013

Сообщение отредактировал IVX - Dec 11 2009, 14:04

[лосев]

никакого валентина не знаю

Ну вот видишь, я считал что каждый питательщик должен знать Володина, его
вообще вся Одесса знает.
http://valvol.flyboard.ru/topic26-765.html
А кто то считает что всем должно быть понятно что такое 55013.
Буковки то трудно указать?

Хотя и без разницы какие там буквовки - посмотришь схемку- поймешь.

[IVX]

Ну вот видишь, я считал что каждый питательщик должен знать Володина, его
вообще вся Одесса знает.
http://valvol.flyboard.ru/topic26-765.html
А кто то считает что всем должно быть понятно что такое 55013.
Буковки то трудно указать?

Хотя и без разницы какие там буквовки - посмотришь схемку- поймешь.

лосев, какие схемки, какие валентины, "какие машины грабим, женщина, вы не туда набрали"((с) пранк.ру)? Спросите у любого про смпсника на форуме, видел ли он провалы в несколько микросекунд на приличных диодах (ок 500нс на шоттке), или предложите ему переключать даже не 200, а 20А с 500пс фронтами, куда он вас пошлёт? Любой спец работающий за деньги, обязан держать свой дизайн в рамках норм по EMI, иначе его дивайсы тупо не продать, пусть даже с 99% кпд.

[gyrator]

обязан держать свой дизайн в рамках норм по EMI

"Ох, как сильно беспокоят треугольные дела! (с)"
Забей ты на этот трёп про выброс-провал. ЛосЁв сам признался, в доступной мне на время бана тусе, что запостил про включение для прикола и ему, оказывается, ближе проблема выключения диодеров.
А когда я просил оного фигуранта привести результаты измерений времени включения диодеров ( с пом. его суперпупер стендера) то афтар сказал, что"низзя", т.к. это его хлебушек. ИМХО, и схемулек простодушные дайсхемудаи тоже не дождутся по той же причине. Вопчем-одна болтовня.

[лосев]

"Ох, как сильно беспокоят треугольные дела! (с)"

Любишь ты на лосева бочку накатить.
А зря- схемулька странмцей выше лежит. А на тусе меня забанили .
За правду можно сказать пострадал. Фиг им больше а не схемки.



Можно сравнить то, что я сказал по русски с корявым фирменным мануалом.
http://www.semikron.com/internet/webcms/ob...lp/ru/1_3_1.pdf

рост тока в открытом состоянии di/dt настолько высокий, что, например, VFRM
может возрасти до 200 В или 300 В для 1700 В диодов, что более чем в 100 раз
превышает VF,
- диод обычно включается из закрытого состояния, при этом возникает VFRM,
которое намного больше, чем, если бы диод включался из нейтрального состояния.
Низкое VFRM . одно из наиболее важных требований к обратным диодам, так как
снабберные цепи становятся эффективны только после включения диода.

Диоды с платиной становятся такими же «мягкими», как и CAL-диоды при номинальном токе (75 А).
Но меньшие токи вызовут максимальные перенапряжения, более 100 В при 10 %
номинального тока из-за быстрых параметров переключения.

Так что я скромно предложил на 175 вольт выброса посмотреть.

Для CAL . диодов пик центра рекомбинации (при Не++ имплантации) расположен в р .
зоне, рядом с pn . переходом как на рис.1.35, следовательно, это приведет к уменьшению
тока утечки. Не++ имплантация совмещена с откорректированным временем жизни основных
носителей, полученного при облучении электронным лучом.

Это означает что эти диоды производятся на оборудовании похожем на ускорители,
и стоимость кристалла начинается с 30 бачков.

А в тех диодах что доступны добиваются в основном мягкого
обратного восстановления, но при этом прямое может быть
неконтролируемым, что "допускается"

Следующие условия влияют на режим мягкого восстановления:
1. Ширина wB n- зоны увеличена, NPT (см. выражение 1.9), в диоде создается
дополнительная зона, которая не достигается полем при номинальном
напряжении. Но это может привести к предельному росту падения напряжения
(см. выражение 1.7) или отношения VF/QRR. Но это несоответствие допускается
даже для поздних разработок

И чего? Лучше бы про мощность которую свечка считает просветил народ.
Чем реактивная от активной отличается в реалии?

Сообщение отредактировал лосев - Dec 12 2009, 09:24

[gyrator]

Любишь ты на лосева бочку накатить.
А зря- схемулька странмцей выше лежит. А на тусе меня забанили .
За правду можно сказать пострадал. Фиг им больше а не схемки

Ну нЭ переношу я философов, которые натрындят с три короба, а когда вопрошаешь о конкретной цифири-грят, что это их хлебушек. Тусовались бы тады промеж собой на площадке в Сары-Шагане (кстати. наверное тоже прикрыли) и не пудрили бы моцк "нормальным пацанам".
А насчёт банана-"нЭ журысь хлопче", бо меня тамошний "Главный Заибан" Володин регулярно навсегда и без коммента вышибает из тусовки перед Новым Годом. Вот и сейчас снова пытается наезжать. Однако я, аки псица Феникс, каженный раз воскресаю под новым ником т.к. слишком много моей инфы лежит на там и иногда надобно давать сцЫлки, а добрейший админ закрыл доступ бэз регистрации к наиболее важным страничкам.
Теперь насчёт схемульки. Если это- "это", то это не серьёзно. Если есть, что сказать про методу снижения комм. потерь, то лучше, ИМХО, это делать на примере столь любимой Вами топологии обратнохода или того же КаКаЕма. Типо, схемулька известная сравнивается с предлагаемой и показуются графики (кривульки) инпульсной мощности в ключике (диодере) и ток через оный. Кстати, использование диодных (ДНЗ) демпферов для уменьшения потерь при выключении просто позволяет прекачивает тёплость из ключика в диодер, котрый благодаря простой структуре довольно лоялен к бздыкам импульсной мощности. Например, диоды в выпермителях ИВЭПов постоянно пробиваются выбросами индуктивности рассеяния и тем не менее живут долго и счастливо , доколе энергия этих выбросов не переполнит "чашу терпения".

З.Ы. Ну вот, тильке квакнул и м..ила Володин вже лишил доступа. А Вы грите -"купаться без штанов, купаться без штанов".

Сообщение отредактировал gyrator - Dec 12 2009, 10:06

[лосев]

Ну нЭ переношу я философов, ....
Кстати, использование диодных (ДНЗ) демпферов для уменьшения потерь при выключении просто прекачивает тёплость из ключика в диодер,

А чего, долго ткнуть градусником в симулянте в диод?
Модельку дал- посмотри на ключик без диода - 3 квт
а на диоде 20 вт. Чего там перекачивается?
Я еще понимаю, если об этом кто то сказал, у кого и симуля нет, но гиратору
...... хвилософ.
Это два порядка разницы.
Неужели это никому не интересно?