Нужно ли удалять полигон GND под SMD0603, 0805 элементами Опции

[Aleksey.z]

Нужно ли удалять полигон GND под SMD0603, 0805 элементами. как то муторно это все выглядит

[SM]

При желании - можно просто cutout нарисовать в паттерне. (Ну или Plane Obstruct, как где называется...) Тогда все заливки будут автоматически убиты под таким паттерном.

[Aleksey.z]

При желании - можно просто cutout нарисовать в паттерне. (Ну или Plane Obstruct, как где называется...) Тогда все заливки будут автоматически убиты под таким паттерном.

Ага во весело расставлять их каждому элементу когда их сотни. Есть не плохой вариант сразу при создании посадочного места элемента разместить контур кейп оут лауэр тогда при размещении полигона он автоматом будет их обходить, вариант с увеличением минимального размера элемента тоже не катит так как нужно только под SMD а он тогда на всем полигоне по удаляет.

[Владимир]

Ага во весело расставлять их каждому элементу когда их сотни. Есть не плохой вариант сразу при создании посадочного места элемента разместить контур кейп оут лауэр тогда при размещении полигона он автоматом будет их обходить, вариант с увеличением минимального размера элемента тоже не катит так как нужно только под SMD а он тогда на всем полигоне по удаляет.

у Вас же алтиум. Нарисуйте правило для большего зазора от олигона до ПАД только для всех СМД компонетов типа конденсатор, резистор.
Сочинять день придется. Зато чувствуешь себя покорителем вершин

[Aleksey.z]

у Вас же алтиум. Нарисуйте правило для большего зазора от олигона до ПАД только для всех СМД компонетов типа конденсатор, резистор.
Сочинять день придется. Зато чувствуешь себя покорителем вершин

Не я лучше кеп оут лауер в библиотеку добавлю. В правилах это не реализуемо, расстояние полигона от пада должно быть 0.3 а зазор между падами гораздо больше

Это называется угадал все буквы, но не смог прочитать слово... Вам то же самое SM написал в своем посту. С пониманием трудно...

cutout, паттерн. сленг малознакомый