Вопросы по mobile DDR SDRAM памяти и ее контролеру, Проблема с генерацией контролера DDR SDRAM Опции

[White]

Может кто сможет подсказать:
Необходимо получить контролер DDR SDRAM. В устройстве использованы 4 корпуса 32Мх16 Samsung K4X51163PC-L(F)E/GC3. Естественно такой микросхемы MIG не знает, пытаюсь выставить параметры корпуса в ручную.
А вот теперь проблема - в генераторе задан диапазон значений и эти значения не подходят для моей памяти (пример: Address and Control Input setup time имеет диапазон до 1100 ps, а для указанной схемы памяти он 1300 ps), и соответственно, данное значение нельзя ввести
Может кто подскажет как выкручиваться?
PS Такая же ситуация свойственна для Micron MT46H16M16LF-75.

[White]

Дмитрий у меня другая память - в начале темы я писал, что там стоит самсунг K4X51163PC.. у него Vil = 0,56 max, Vih = 1,26 min

Но мне бы сейчас больше хотелось, что бы мне рассказали про задержки в памяти

[dspx]

Дмитрий у меня другая память - в начале темы я писал, что там стоит самсунг K4X51163PC.. у него Vil = 0,56 max, Vih = 1,26 min

Но мне бы сейчас больше хотелось, что бы мне рассказали про задержки в памяти

Не обращайте внимания на задержки на рисунках. Там показаны возможные случаи задержки данных, удовлетворяющих стандарту, и требуемое положение DQS, чтобы получалось стробирование данных при чтении как раз в пределах валидного окна. Наиболее простой случай для вас - берете MIG генерите DDR/DDRII контроллер, в принципе для любого кристалла, запускаете встроенный тестбенч, который пишет/читает паттерны, и смотрите глазами на диаграммы. Под Virtex4 переделать будет не очень трудно, всего-лишь выходные примитивы в IOB заменить, и возможно распределенную RAM в части чтения данных.

[DmitryR]

Проблема заключается в том, что Mobile-DDR поддерживается только в Spartan-6, а там он погружен и перенести соответственно не получится. А обычный DDR контроллер есть и для Virtex-4, можно сгенерировать и ничего не переделывать, но он скорее всего не заработает, так как различается времянка.