Вопросы по mobile DDR SDRAM памяти и ее контролеру, Проблема с генерацией контролера DDR SDRAM Опции

[White]

Может кто сможет подсказать:
Необходимо получить контролер DDR SDRAM. В устройстве использованы 4 корпуса 32Мх16 Samsung K4X51163PC-L(F)E/GC3. Естественно такой микросхемы MIG не знает, пытаюсь выставить параметры корпуса в ручную.
А вот теперь проблема - в генераторе задан диапазон значений и эти значения не подходят для моей памяти (пример: Address and Control Input setup time имеет диапазон до 1100 ps, а для указанной схемы памяти он 1300 ps), и соответственно, данное значение нельзя ввести
Может кто подскажет как выкручиваться?
PS Такая же ситуация свойственна для Micron MT46H16M16LF-75.

[White]

Ну то что он не заработает это 100%, дело в том, что координально отличается инициализация памяти и ее чтение. Запись практически аналогична.
Сейчас суть в том, что надо понять сейчас можно ли захлопывать данных на фронтам CLK?
Про все прочие особенности пока речи не идет.

[DmitryR]

Сейчас суть в том, что надо понять сейчас можно ли захлопывать данных на фронтам CLK?

Этот вопрос можно перевести примерно так: "На самом ли деле разработчики стандарта DDR памяти забыли выкинуть из драфта абсолютно лишний сигнал DQS, или в нем все-таки есть какой-то скрытый смысл"? Да, в нем есть смысл - он тактирует данные, а CLK тактирует команды. Рассматривайте это как разные временные домены.