Трассировка группы микросхем SDRAM Опции

[koluna]

Здравствуйте!

Стоит задача спроектировать ПП.
ПП содержит МП AT91SAM9XE и две SDRAM MT48LC16M16A2.
Плата четырёхслойная (внутренние слои - питание и общая цепь).
Желательна работа с памятью на максимальной частоте.
После прочтения TN-46-14 и просмотра конференции остались некоторые вопросы, в решении которых прошу мне помочь разобраться

1. Termination.
Если на шинах не менее 4 микросхем памяти и длина шин менее 2 дюймов, то Микрон рекомендует использовать последовательное завершение (Rs = 51...70 Ом).
А если менее 4, то завершение вообще не требуется?
Как я понял из текста далее, длина шин более 2 дюймов вообще не рекомендуется?
Для двунаправленных линий терминаторы ставятся в середине шины, для однонаправленных линий - со стороны МП?
А если МП и память находятся весьма близко, допустим, в радиусе 3 см, то как располагать терминаторы?

2. Линии шины данных желательно располагать на отдельном слое (отдельно от линий шины адреса и управляющей шины)?

3. Допуски на длину.
Линии данных в пределах одного байта +/- 50 мил.
Линии данных разных байтов +/- 500 мил.
Разница между линиями данных и синхросигнала +/- 500 мил.
Разница между линиями адреса, управляющими линиями и линиями синхросигнала +/- 400 мил.
Если несколько линий синхросигнала (несколько микросхем памяти), разница их длин +/- 20 мил.

Чем обусловлен такой разброс (50 и 500 мил) между двумя первыми подпунктами?

4. Правильно ли я понял, что помимо развязывающих керамических, Микрон рекомендует ещё и по одному развязывающему танталовому электролиту на каждую микросхему памяти и располагать его где-то там в углу микросхемы на плате?
Если да, то как его трассировать? Просто поставить рядом с микросхемой и с помощью виасов подключить к слоям питания и общей цепи?

5. Какую топологию выбрать для трассировки памяти? Звезда или шина?

Благодарю заранее.

[Uree]

1. Termination.
Если на шинах не менее 4 микросхем памяти и длина шин менее 2 дюймов, то Микрон рекомендует использовать последовательное завершение (Rs = 51...70 Ом).
А если менее 4, то завершение вообще не требуется?
Как я понял из текста далее, длина шин более 2 дюймов вообще не рекомендуется?
Для двунаправленных линий терминаторы ставятся в середине шины, для однонаправленных линий - со стороны МП?
А если МП и память находятся весьма близко, допустим, в радиусе 3 см, то как располагать терминаторы?

Что-то не увидел я там 51-70 Ом терминаторов, увидел только последовательные резисторы такого номинала. И их рекомендуют ставить в середину двунаправленной линии или как можно ближе к источнику в однонаправленной.
Далее, если у Вас 2 и меньше чипов в системе памяти и длина трасс ЦПУ-СДРАМ меньше 2 дюймов, то промоделировав линии связи можно отказаться от терминаторов вообще. Если терминаторы ставить, то рекомендованный номинал 22-27 Ома, максимум 56, опять же по результатам моделирования.
Установка терминаторов посередине линии, равно как и со стороны проца не практикуется. Обычно на линии данных терминаторы вешаются максимально близко к пину СДРАМа. Адреса делаются как правило Т-вида и терминаторы ставятся близко к точке разветвления сигналов. Ну и последовательные резисторы там везде рекомендуется ставить. А лучше всего конечно все это промоделить.

2. Линии шины данных желательно располагать на отдельном слое (отдельно от линий шины адреса и управляющей шины)?

Совершенно не обязательно. Просто между разными группами сигналов желательно соблюдать соответствующие зазоры.

3. Допуски на длину...

Забейте на эти допуски Я не понимаю на что они там так закладываются, но за пределы окна вылезти очень трудно.
Реально нужно примерно выравнять длины внутри каждой группы данных(на самом деле они и так почти ровные получаются, в пределах сантиметра как правило разброс без доп. выравниваний). Потом не надо делать десятикратную разницу между разными байтами, и дальше клок должен быть длиннее всех.

4. Правильно ли я понял, что помимо развязывающих керамических, Микрон рекомендует ещё и по одному развязывающему танталовому электролиту на каждую микросхему памяти и располагать его где-то там в углу микросхемы на плате?
Если да, то как его трассировать? Просто поставить рядом с микросхемой и с помощью виасов подключить к слоям питания и общей цепи?

Рекомендует. Но на самом деле хватает и обычного электролита на 100мк на каждый корпус. Главное чтобы питание было цельным плэйном и этот электролит на нем сидел.

5. Какую топологию выбрать для трассировки памяти? Звезда или шина?

Для данных точка-точка, для адресов/управления Т-образную.

ЗЫ Вот примерно такой случай трассировки:

[attachment=43443:SDRAM_Routing.PNG]