Транзисторный ключ с защитой по току, коммутация "-" Опции

[alux]

Для разрабатываемого датчика необходима схема коммутации нагрузки. Причем нужно коммутировать как "+", так и "-" питания.
Также нужно обеспечить защиту от короткого замыкания в нагрузке на уровне 0.5А. И, естественно, это должно быть простое и дешевое решение.

Нашел два оптимальных решения:
1) электронный предохранитель с использованием ОУ
http://www.computerbooks.ru/books/CAD/Book...%205/Index0.htm

2) статья Л. И. Ридико "Транзисторный ключ с защитой по току".
http://digit-el.com/files/circuits/highsw/highsw.html

Первое проблематично с точки зрения ограничения входного синфазного напряжения (может подскажите недорогой ОУ с напряжением питания +36В, который подходит под эту задачу, наподобие LM353 ?).

Второе, то, что надо.
Вопрос. Будет ли эта схема (Ридико) работоспособной при изменении полярности элементов для коммутации "-" питания?
Схему прикладываю.

В схеме присутствует защита от перенапряжения и переполюсовки питания.
Сигнал включения нагрузки выдает микроконтроллер. В качестве сигнализации срабатывания защиты будет использоваться оптрон.
Есть ли какие замечания по схеме?

Эскизы прикрепленных изображений

 

[alux]

По поводу защиты от дурака...
Как правило на объекте монтаж датчиков делают методом тыка.
При этом если на выводLOAD_1 подать "-", а на вывод GND подать "+35В" , то сгорает VD5 (или источник питания +35В).
Если на вывод LOAD_2 подать "+35В", а на вывод +35V подать "-", то сгорает VD6 (или источник питания +35В).

Решений этой проблемы я вижу два:
1) выбросить эти диоды.
2) для защиты от переполюсовки вместо диода VD2 в шине питания +35 В включить P-канальный транзистор, так как я рисовал в первой схеме, только с большим допустимым напряжением ЗИ. А в шине GND включить такой же N-канальный транзистор. При этом диоды VD5, VD6 включить к истокам соответствующих транзисторов.
Кстати, если применить такой же транзистор IRF7343, у которого напряжение ЗИ +/-20 В, затвор можно подключить через резистивный делитель 100к + 100к : один резистор между ЗИ, второй - между З и GND (для P-канального).

Еще варианты?

А падение было "приплетено" сюда для того, чтобы показать, что если нет указанного падения (вследствии равности база-эмиттерных напряжений), то нет и базового тока. Точнее, может быть мизерным, а может и не быть вовсе.

Я тоже не могу понять почему не будет напряжения на базе VT14 после срабатывании защиты? И какую равность напряжений БЭ вы имели в виду? Оно равно не нулю (точнее, около нуля, как вы говорили), а напряжению открытого VT13 (~ 0.6 В). Это показывает и тестер, если вы не верите.

alux, а Вы покажите Вашу модификацию схемы автору той, что была взята за основу.

Это была его идея (Л.И.) - включить оптроны в коллекторные цепи отдельных транзисторов
Вопрос с добавочными резисторами пока остался открытым.

PS. Здесь схема коммутации с защитой от дурака.

Эскизы прикрепленных изображений

 

[Herz]

Я тоже не могу понять почему не будет напряжения на базе VT14 после срабатывании защиты? И какую равность напряжений БЭ вы имели в виду? Оно равно не нулю (точнее, около нуля, как вы говорили), а напряжению открытого VT13 (~ 0.6 В). Это показывает и тестер, если вы не верите.

Оно будет, в этом нет сомнений. И именно около 0.6 - 0.7В Но дело как раз в том, что для открытия биполярному транзистору нужен базовый ток, просто напряжения ещё не достаточно. Переход база-эмиттер у него представляет собой диод, падение напряжения на котором может иметь некоторый разброс, как в зависимости от протекающего базового тока, так и технологический. Теперь представьте, что на прямосмещённом переходе б-э VT13 0.6В, для смещения базового перехода (и возникновению базового, а как следствие, и коллекторного тока) VT14 требуется, как минимум столько же. Или, что реально, 0.61В. Тогда на его базовом резисторе напряжение будет близко к нулю и заметного базового тока просто не возникнет.