Трассировка SDRAM Опции

[koluna]

Здравствуйте!

Прошу покритиковать, выслушаю конкретные рекомендации.

САПР - OrCAD.
ПП - 4 слоя (внутренние слои - общая цепь и питание +3.3 В, на рисунке не показаны).
Дорожки - 8 мил.
Дорожки цепей питания и общей - 11 мил.
Зазоры - 8 мил.
Трасировка шины данных - точка-точка, шины адреса и линий управления - Т-образная.

SDRAM - MT48LC16M16A2P-75IT.
МК - AT91SAM9XE512-QU.

Хотелось бы как-нибудь обжать трассировку памяти и микроконтроллера, чтобы меньше места она занимала.
Последовательные резисторы и терминирующие резисторы в цепи МК-память пока не поставил.
Насколько это принципиально? Как зависит от частоты и длины трасс необходимость их присутствия?
Рядом с МС памяти - электролиты 10 мкФ. Нормально ли я их расположил с точки зрения выполняемых ими функций?

Благодарю заранее!

Эскизы прикрепленных изображений

 

Прикрепленные файлы

 Memory___SDRAM.pdf ( 169.85 килобайт ) Кол-во скачиваний: 338

 

[Secter]

Нормы проектирования здесь не причем... Правая сторона ARMа (рис) так и просится в разводку не через множественные-лишние переходные, а именно сдвинув SDRAM влево. Сразу ложатся на "правильной" стороне конденсаторы по питанию памяти. Конденсаторы по питанию ARMа тоже не на месте...спрашивается: зачем питание проца и граунд рядом?!...если кондер по питанию имеет "СВОЮ" землю?!

[koluna]

Нормы проектирования здесь не причем...

Класс точности у Вас-то повыше будет!
И слоёв, думаю, 6 минимум...
А вот у нас бюджет существенно обрезан...

Правая сторона ARMа (рис) так и просится в разводку не через множественные-лишние переходные, а именно сдвинув SDRAM влево.

Согласен. Надо будет попробовать в следующем релизе осуществить... но не знаю, уместится ли столько виасов нормально под правой микросхемой...

Сразу ложатся на "правильной" стороне конденсаторы по питанию памяти.

Конденсаторы, как я понимаю, у Вас тоже на обеих сторонах расположены...
Как я понимаю, располагать конденсаторы на обратной стороне не есть слишком плохо.
Хотя, конечно, виас добавляет индуктивности паразитной...

Конденсаторы по питанию ARMа тоже не на месте...спрашивается: зачем питание проца и граунд рядом?!...если кондер по питанию имеет "СВОЮ" землю?!

Хм... т. е., Вы хотите сказать, что общую цепь развязывающего конденсатора надо непосредственно соединять с общей цепью микропроцессора (GND)?

Рисунок ниже. Набросал по-быстрому для прояснения ситуации

В данный момент большая часть соединениий выполнена по варианту "А".
Конденсатор и процессор на разных сторонах платы.
ВЧ-ток через конденсатор и виас 1 уходит в плэйн-слой GND. Частично, конечно попадает через виас 2 в плэйн-слой питания.

Вы, как я понимаю, рекомендуете вариант "Б"?
Конденсатор и процессор на одной стороне платы.
Меньшая часть ВЧ-тока попадает в плайн-слой питания.
Можно сэкономить на одном виасе, да.
Но не подбросит ли ВЧ-ток, проходящий через конденсатор и виас 5, потенциал на выводе процессора GND?

Хм... интересно, можно ли это всё смоделировать в каком-нибудь гиперлинксе?

Эскизы прикрепленных изображений