bsim3v3, насколько точны данные модели? Опции

[gudkovmax]

Здравствуйте!

Занимаюсь изучением особенностей работы активных элементов ИС в предельных режимах, в частности в подпороговом режиме или режиме слабой инверсии.
Есть возможность проводить моделирование в Cadence, но возникли вопросы:

1 На сколько точно в моделе bsim3v3 описана подпороговая область ВАХ (режим слабой инверсии)?
2 В принципе точность (приближенность к работе реальных элементов) модели определяется фабрикой на которой получают необходимые коэффициенты для модели?
или точность заложена в самой модели, в уравнениях которые описывают работу элементов схемы (в частности транзисторов)?

Если есть какая-то информация поделитесь пожалуйста, если дадите ссылки на серьезную литературу будет совсем замечательно, т.к. мне надо для научной деятельности.

[Losik]

MOSFET Modeling and BSIM3 User's Guide
автор(ы): Yuhua Cheng, Chenming Hu
h__p://ifile.it/d31en57/0792385756.zip
еще в документации есть файл cadence/doc/spectremod/spectremod.pdf с описанием моделей.
Вопросы немного странные. Фабрика поставляет отчет по технологии. Можете сравнить вольт-амперные характеристики. Но что это даст? Параметры транзисторов при изготовлении изменяются в определенном диапазоне, фабрика дает модели по крайним точкам разброса, так называемые 3sigma модели. при одинаковом тесте, на разных транзисторах, вы получите разные значения тока и напряжения. Что касается поведения или предсказания кривой, например описание DIBL эффекта, то достаточно точно, так как bsim основана на физической модели транзистора. В литературе указывают, что EKV модель более точно описывает режим слабой инверсии, чем BSIM. Но тут сложно проверить.