Как прочитать программно Flash память атмеги 128 Опции

[inventor]

Вообще это возможно или нет?
Как читать / писать EEPROM я знаю,
интересует вопрос, как из программы прочитать flash память.

[inventor]

Да, я чё-то туплю.
Нашел функции для чтения из flash: pgm_read_byte_near и pgm_read-word_near
ну и есть парные с атрибутом far
Насколько я понимаю, эта внутренняя флеш устроена таким образом,
что у нее в одной ячейке записаны ДВА байта.
и адресация у нее от 0 до 0xFFFF
ТО есть если я читаю предположим с адреса 0,
то я должен прочитать ДВА байта функцией pgm_read_word
а с адреса 1 следующие ДВА байта.
Но при последовательном вызове функции pgm_read_word(0), pgm_read_word(1)
я читаю по одному байту.
Я просто смотрю в отладчике и в гексоидном файле.
Понимаю, что по стандарту анси С у нас байтовая адресация, а не 2-х байтная.
Мне не совсем ясно, как мне залезть за предел в 64 кБайта на атмеге 128?
Или програмная адресация не соответсвует реальной?
ТО есть как мне предположим прочитать слово по адресу 0xFFFE?

[YAM]

Ну типа так для IAR AVR:
unsigned int VAR;
VAR = *(unsigned int __farflash *)0x1FFFE; // Читаем последние 2 байта памяти программ

[inventor]

Ну типа так для IAR AVR:
unsigned int VAR;
VAR = *(unsigned int __farflash *)0x1FFFE; // Читаем последние 2 байта памяти программ

ТО есть получается что адрес FFFF применимо к функции pgm_read_word
будет читать из флеша по адресу FFFF/2 а не FFFF?
Я правильно понимаю?

[YAM]

ТО есть получается что адрес FFFF применимо к функции pgm_read_word
будет читать из флеша по адресу FFFF/2 а не FFFF?
Я правильно понимаю?

Это зависит от типа компилятора. Я привел пример для IAR.
Но по любому, любой многобайтовый доступ к памяти программ будет преобразован к установке RAMPZ и байтовому чтению командой ELPM.