Управление верхним MOSFET в мосте, Удвоение напряжения, преобразователь.. Опции

[Savrik]

Как-то так вышло, что я допустил ужасную ошибку.. Проектировал схему реверсивного управления коллекторным электродвигателем, да поставил во все плечи N-канальные MOSFET'ы (IRFR4105, входная емкость 700пФ)... Естественно, про драйвера забыл, как заказать, так поставить на плату Купить их тоже нет возможности - пока доедут... Поэтому нужно какое-то просто решение, как удвоить 4,8 В.. Пока для себя записал однотактный преобразователь, но он слишком тяжелый для такого... Желательно, что бы минимум деталей экзотических, ресурсы ограничены

Сообщение отредактировал Savrik - Jul 16 2010, 16:20

[Savrik]

Если так, то можно перейти на схему удвоителя. Выкинуть D5 D6 C7 C8. Будет около 9 вольт с небольшим

Я оба варианта испробую. Спасибо.

..А еще лучше, при указанном токе нагрузки, две пары комплементарных ключей с логическим управлением, в "соике"..

Увы, уже ничего менять не буду...

Могу и я заверить, что если случайно разок вписались, то на следующих экземплярах не впишитесь точно.
Даташитовские "2..4 вольта" нужно в Вашем случае читать: "не менее 4, а лучше 5-6".
Для таких применений нужны IRLR...

Даташитовские минимум 2, максимум 4 вольта при напряжении сток-исток 4В. Так и написано, таблица на стр.2.

Потому как V_GS(TH), который вы называете "порогом" нормируется при токе стока 250мкА. И сопротивление канала в открытом состоянии приведено при условии напряжения на затворе 10В. А если рассмотреть внимательно еще и графики, то можно заметить, что при напряжении V_DS=4,5В наблюдается насыщение в районе 3А.

Да, читал невнимательно Но.. Токи у меня явно более 250мкА.. А 3А это как раз то, что надо. Почти угадал...)

сопротивление канала при вашем питании 4,8В будет вовсе не 0,045Ом, а дай бог если до пары Ом хотя бы опустится. И вообще нужно выкинуть из головы эти рекламные слоганы про logic level MOSFET, а всегда смотреть реальные параметры транзисторов. Тщательнее нужно, тщательнее!

Провел измерения. Точность не гарантирую, но дает общее представление. Причем испытания проводил на заниженом питании, 4,12В. Итак, нагрузка 12 мА(332 Ом), падение напряжения на мосфете 2,1мВ, итого Rds = 0,175Ом. Нагрузка 811мкА(5,05кОм), падение напряжения 0,2мВ, итого Rds = 0,246 Ом.
На худой конец, так как все равно придется делать повышающий преобразователь, можно будет управление всех плечей перевести на повышенное напряжение.


P.S. А в общем, будет пример, как не надо проектировать устройства...

Сообщение отредактировал Savrik - Jul 18 2010, 03:55