Ищу материалы по МОП транзисторам с кольцевыми затворами. Опции

[baumanets]

Ищу материалы по МОП-транзисторам с кольцевыми затворами: книги, статьи, правила проектирования, расчёт и т.д.
желательно проектные нормы >1мкм

[baumanets]

А сколько уровней вложенности можно сделать в кольцевых, чтобы логическая схема работала?
Как рассчитывать периметры и площади?
Как лучше делать переход к контактному окну (форма кольцевого затвора и контакт к поликремнию)?
Если соединены стоки или истоки МОП-транзисторов, то как тут эффективно использовать площадь?

[zzzzzzzz]

А сколько уровней вложенности можно сделать в кольцевых, чтобы логическая схема работала?

Сколько угодно. Учитывая емкости затворов и сопротивление поликремния, конечно.
Но, обычно больше двух последовательно не делают, - третий огромен.

Как рассчитывать периметры и площади?

А в чем проблема?
Обычно экстракторы с этим нормально справляются.
Можно им помочь, конечно. Для повышения точности ввести дополнительные слои генерации.

Как лучше делать переход к контактному окну (форма кольцевого затвора и контакт к поликремнию)?
Если соединены стоки или истоки МОП-транзисторов, то как тут эффективно использовать площадь?

Контакт к поликремнию всегда делается на локальном окисле. Иногда на "островке". Как и в линейных тр-ах.
Вариантов конфигураций масса, ограничивается лишь вашей задачей и фантазией.
Вот пара примеров:

[baumanets]

А в чем проблема?
Обычно экстракторы с этим нормально справляются.
Можно им помочь, конечно. Для повышения точности ввести дополнительные слои генерации.

Какие программы посоветуете использовать для извлечения параметров. ISExtract подойдёт для таких целей?

Контакт к поликремнию всегда делается на локальном окисле. Иногда на "островке". Как и в линейных тр-ах.
Вариантов конфигураций масса, ограничивается лишь вашей задачей и фантазией.
Вот пара примеров:

Я вижу, что в aaaaaaaaa.jpg контактные окна между областями n и p лежат наполовину в n наполовину в p области.
А почему тут сделано не 2 контактных окна каждое в своей области, а одно окно?
С целью экономии площади?

[zzzzzzzz]

Какие программы посоветуете использовать для извлечения параметров. ISExtract подойдёт для таких целей?

EXT есть в любом пакете для дизайна. Если вы еще не выбрали, то советую "рисовать чудеса" в Таннере. Рисовалка там, пмсм, лучшая из всех существующих. Экстрактор вызывается кнопкой на панеле задач. ***.ext - файл прописать осилите сами, по примерам и вполне понятной логике. Хелп в помощь.

Я вижу, что в aaaaaaaaa.jpg контактные окна между областями n и p лежат наполовину в n наполовину в p области.
А почему тут сделано не 2 контактных окна каждое в своей области, а одно окно?
С целью экономии площади?

Да, экономии. В принципе, эти картинки определены DRC конкретного производителя. А бывает по разному. Например, разрешены только квадратные КО одного размера. ПМСМ, это заблуждение. Де-факто. Логичнее и предпочтительнее сплошные области КО. Но, с DRC спорить нельзя.

[fragment]

А бывает по разному. Например, разрешены только квадратные КО одного размера. ПМСМ, это заблуждение. Де-факто. Логичнее и предпочтительнее сплошные области КО. Но, с DRC спорить нельзя.

Контакты одного размера предпочтительнее, так как скорость травления при изготовлении контактов зависит от размеров области травления.
При одинаковых контактах технологам легче подобрать оптимальный режим и, значит, процент выхода годных будет выше.

[zzzzzzzz]

Контакты одного размера предпочтительнее, так как скорость травления при изготовлении контактов зависит от размеров области травления.
При одинаковых контактах технологам легче подобрать оптимальный режим и, значит, процент выхода годных будет выше.

Есть только 2 фактора основных при вскрытии окон:
- уход границы окна (растрав), зависящий от геометрии окна;
- отвод продуктов реакции, зависящий от плотности окон.
И то, и другое может быть специфицировано (и, кое-где именно так уже).
А разговоры про "легче подобрать..." - лажа полная. Чистый консерватизм конкретных производств и технологов.
Непрерывные большие контакты могут дать прирост в динамике порядка (10-30) %, повысить надежность и стойкость ИС.
Я бы не спорил про техпроцессы порядка 60 нм и ниже, там многое на грани химии и плазмы. Всё, что выше - не имеет смысла вводить такие ограничения.
Они остались со времен разработок таких процессов. И, по сути, рудименты.