стойкость флэши к рентгену низких энрегий, кто-нибудь знает? Опции

[dac]

извиняюсь если вопрос глупый, я не в теме.
нужно прикрутить мк к рентгену, соотвественно имеем FLASH и SRAM.
работа постоянная круглосуточная под изулчением энергией до 50кэВ, но интенсивность оценить не могу даже приблизительно - устройство сбоку от излучателя и померить там возможности нет. примерно в тех же условиях, только позади излучателя (соответсвенно интенсивность облучения гораздо ниже) ОУ, диоды и биполярные транзисторы прекрасно себя чувствуют.

единственное, что встречал упоминание, что пороговая энергия которая влияет на электронику начинается от 250кэВ. так ли это?

[pitbool]

(соответсвенно интенсивность облучения гораздо ниже) ОУ, диоды и биполярные транзисторы прекрасно себя чувствуют.

единственное, что встречал упоминание, что пороговая энергия которая влияет на электронику начинается от 250кэВ. так ли это?

по поводу биполярных ЭРИ - существует эффект малых доз. Погуглите ELDRS.
Вот например: http://www.national.com/analog/space/eldrs_release
ОУ, компараторы, DC/DC могут давать сбои при достаточно малой общей накопленной дозе в 100-300 рад. Фон исчезнет - все начинает работать хорошо, проходили уже - прибор начал глючить через полгода с периодичность несколько раз в день.

по поводу флешек - сильно зависит от технологии - лучше всего держится EEPROM, NOR - похуже, NAND совсем не держит.
Можете глянуть у них http://www.3d-plus.com/product.php?type=1&fm=19

по поводу sram - берите с грубой технологией, с питанием не ниже 5В и не забудьте добавить коды типа Хэмминга (Кстати, это же касается и флешек). Есть специальные микросхемы для генерации этих кодов.

Ну и правильно советуют про дополнительную защиту: 1-2мм люминя не помешают