Вопрос по SDRAM памяти micron Опции

[cerg19]

Всем доброго время суток. В данный момент пишу для ПЛИС контроллер записи и чтения в SDRAM память фирмы микрон. Так исторически сложилось, что использование готового ядра не представляется возможным. При чтении даташиты для памяти возникло два вопроса, а именно что делают команды PRECHARGE и AUTO REFRESH. Как я понял команду AUTO REFRESH необходимо выполнять каждые 1,7 мкс в не зависимости от того что ты делаешь с памятью. А команду PRECHARGE необходимо выполнять каждый раз при переходе от одной строки к другой при записи или чтении. Скажите пожалуйста, правильно ли я всё понял, а так же хочу спросить можно ли записать данные в ячейки памяти и потом сразу же считать эти же ячейки без выполнения команды AUTO REFRESH.
P.S не знаю точно в какую ветку писать, решил сюда. Извините если промазал

[cerg19]

dxp, спасибо большое, вроде понял, но хотелось уточнить.

Каждая страница памяти должна быть "освежена" не реже, чем один раз в 64 мс

Страница это тоже самое что и банк как написано в даташит?
И ещё очень мучает вопрос:
а так же хочу спросить можно ли записать данные в ячейки памяти и потом сразу же считать эти же ячейки без выполнения команды AUTO REFRESH.
Я так понял что при AUTO REFRESH присходит подзаряд конденсаторов ячеек, и если я записал данные в ячейку, они сразу там изменяются, или только после команд AUTO REFRESH. Может спрашиваю глупость, но не селён в архитектуре построения памяти, прошу разьяснить

[CaPpuCcino]

очень советую топикстартеру почитать Угрюмова "Цифровая схемотехника"
от параграфа 4.7 Динамические запоминающие устройства - базовая структура
до 4.9 Регенерация данных в динамических запоминающих устройствах
сразу станет понятно для чего нужен пречардж и что такое авторефреш
в сети она есть. но советовал бы всё-таки её купить в личную библиотеку, если собирается работать в этой обл.