DE0 + sdram Опции

[Evired]

Пытаюсь задействовать SDRAM на плате Terasic DE0. SOPC билдером построил систему, включил в нее контроллер SDRAM. Возник вопрос как подсчитать сдвиг фазы клоков для SDRAM.На форуме альтеры прочитал что люди для DE2 ставили сдвиг -3 ns, да и в каком-то туториале я это читал. Реализовал его с помощью pll, запустил темплейт из NIOS EDS (binary counter), а он ругается при попытке запуска на желеячке:


Using cable "USB-Blaster [USB 3-1.1]", device 1, instance 0x00
Processor is already paused
Reading System ID at address 0x00004008: verified
Initializing CPU cache (if present)
OK

Downloading 00000000 ( 0%)
Downloading 00800000 ( 0%)
Downloading 008032B4 (94%)
Downloaded 13KB in 0.2s (65.0KB/s)

Verifying 00000000 ( 0%)
Verifying 00800000 ( 0%)
Verify failed between address 0x800000 and 0x802FA7
Leaving target processor paused

Я так понял что именно на внешнюю память, то есть SDRAM и ругается. А там только один может быть вариант - неправильный сдвиг по фазе между клоками контроллера и самой sdram. В хендбуке я данный раздел не осилил, поэтому очень надеюсь на вашу помощь )

Сообщение отредактировал Evired - Oct 15 2010, 12:47

[Evired]

Посмотел входящий в пакет кита проект, там сдвиг -60 degrees. Выставил у себя, все равно не работает. У меня еще одно предположение: шина адреса у моей sdram 13 бит, а у контроллера 12. Я 13 бит шины адреса попросту не назначил, а в работающем проекте сделано так:

module DE0_TOP
(

///////////////////// SDRAM Interface ////////////////
DRAM_DQ, // SDRAM Data bus 16 Bits
DRAM_ADDR, // SDRAM Address bus 13 Bits
DRAM_LDQM, // SDRAM Low-byte Data Mask
DRAM_UDQM, // SDRAM High-byte Data Mask
DRAM_WE_N, // SDRAM Write Enable
DRAM_CAS_N, // SDRAM Column Address Strobe
DRAM_RAS_N, // SDRAM Row Address Strobe
DRAM_CS_N, // SDRAM Chip Select
DRAM_BA_0, // SDRAM Bank Address 0
DRAM_BA_1, // SDRAM Bank Address 1
DRAM_CLK, // SDRAM Clock
DRAM_CKE, // SDRAM Clock Enable

);

/////////////////////// SDRAM Interface ////////////////////////
inout [15:0] DRAM_DQ; // SDRAM Data bus 16 Bits
output [12:0] DRAM_ADDR; // SDRAM Address bus 13 Bits
output DRAM_LDQM; // SDRAM Low-byte Data Mask
output DRAM_UDQM; // SDRAM High-byte Data Mask
output DRAM_WE_N; // SDRAM Write Enable
output DRAM_CAS_N; // SDRAM Column Address Strobe
output DRAM_RAS_N; // SDRAM Row Address Strobe
output DRAM_CS_N; // SDRAM Chip Select
output DRAM_BA_0; // SDRAM Bank Address 0
output DRAM_BA_1; // SDRAM Bank Address 1
output DRAM_CLK; // SDRAM Clock
output DRAM_CKE; // SDRAM Clock Enable

//=======================================================
// Structural coding
//=======================================================

DE0_SOPC DE0_SOPC_inst(

// the_sdram
.zs_addr_from_the_sdram(DRAM_ADDR),
.zs_ba_from_the_sdram({DRAM_BA_1,DRAM_BA_0}),
.zs_cas_n_from_the_sdram(DRAM_CAS_N),
.zs_cke_from_the_sdram(DRAM_CKE),
.zs_cs_n_from_the_sdram(DRAM_CS_N),
.zs_dq_to_and_from_the_sdram(DRAM_DQ),
.zs_dqm_from_the_sdram({DRAM_UDQM,DRAM_LDQM}),
.zs_ras_n_from_the_sdram(DRAM_RAS_N),
.zs_we_n_from_the_sdram(DRAM_WE_N),

// the_tristate_bridge_avalon_slave (16-bit mode)
.address_to_the_cfi_flash({FL_ADDR, FLASH_16BIT_IP_A0}),
.data_to_and_from_the_cfi_flash(FL_DQ),
.read_n_to_the_cfi_flash(FL_OE_N),
.select_n_to_the_cfi_flash(FL_CE_N),
.write_n_to_the_cfi_flash(FL_WE_N),

);


endmodule

Так вот я не понимаю как может такое работать: .zs_addr_from_the_sdram(DRAM_ADDR) когда zs_addr_from_the_sdram 12 бит а DRAM_ADDR 13 бит?

Если я заведу на 13 бит шины адреса 0 все будет работать?