реклама на сайте
подробности

 
 
> Идентичность параметров, для нескольких ОУ на одном кристалле
delamoure
сообщение Oct 22 2010, 16:54
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 176
Регистрация: 2-04-08
Из: Днепропетровск
Пользователь №: 36 406



Добрый вечер.
На сколько корректно считать идентичными параметры операционных усилителей, выполненных на одном кристалле?
А именно интересует абсолютное значение напряжения смещения.

Понимаю, вопрос несколько абстрактный. Поэтому устроит такой же ответ :)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
proxi
сообщение Oct 25 2010, 19:22
Сообщение #2


Гуру
******

Группа: Banned
Сообщений: 2 754
Регистрация: 5-06-05
Из: Zurich
Пользователь №: 5 744



Цитата(delamoure @ Oct 22 2010, 19:54) *
Добрый вечер.
На сколько корректно считать идентичными параметры операционных усилителей, выполненных на одном кристалле?
А именно интересует абсолютное значение напряжения смещения.

Понимаю, вопрос несколько абстрактный. Поэтому устроит такой же ответ smile.gif

микроэлектронная схемотехника, базируется на идентичности параметров, одинаковой геометрии транзисторов, бетта в пределах5%, U бэ несколько милливольт, Т кристалла в пределах градуса... зачастую главным возмущающим фактором были тепло выходного каскада и соответственно тепловая обратная связь, действующая до 200 Гц и ухудшающая теоретические Ку параметр...
для уменьшения дрейфа, транзисторы входного каскада размещали на кристалле особым образом ( в инструментальных ОУ ),
очевидно смещение будет разного знака в пределах, указанных в ТУ
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 19th July 2025 - 10:53
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01506 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016