DRAM и MOSFET Опции

[BarsMonster]

Добрый день, вопрос конечно спорный по разделу, но думаю тут больше шансов на ответ )

Везде где читаю про DRAM - везде в 1T1C схемах используются транзисторы, не имеющие body diode.



Хочу собрать демо-версию из дискретных элементов, но тут же все упирается в полное отсутствие MOSFET-ов без body diode.

Расскажите, почему в ИС транзисторы без body diode - обычное дело, а в дискретном исполнении - просто невозможное?

[fragment]

Думаю, в данном случае транзисторы представляют собой просто ключи и учет body diode не имеет значения для понимания работы схемы. Вполне возможно, в реальной схеме вместо мосфетов будет навороченный ключ.

[BarsMonster]

Думаю, в данном случае транзисторы представляют собой просто ключи и учет body diode не имеет значения для понимания работы схемы. Вполне возможно, в реальной схеме вместо мосфетов будет навороченный ключ.

В том то и дело, что при чтении еденицы - ток через него идет в одном направлении, при записи еденицы - в другом.
Тут и возникает проблема.

С бодидиодом - нам остается сток подключать к конденсатору, чтобы конденсатор не разряжался при не выбранной строке через диод.
НО, при записи еденицы в любую другую строку конденсатор будет заряжаться несмотря на то что строка не выбрана.

Неужели остается только ставить по 2 транзистора последовательно?

Посмотрите на старый советский транзистор КП305 - вполне с отдельным выводом подложки в дискретном исполнении. Если подключить вывод подложки к истоку - получится MOSFET с body-диодом.
А в условиях вашей схемы подложка подключена к общему проводу питания и этот body-диод превращается в два - один от истока в землю, другой - от стока в землю.

Если подложка подключена к общему проводу, то записать еденицу как следует не выйдет - все что выше 0.7В уйдет в землю...

А вот если подложку к VCC... тогда вроде есть шанс, главное чтобы транзистор не открылся :-)

Сообщение отредактировал BarsMonster - Oct 27 2010, 16:53