Почему все так переживают насчет чистоты кремния? Опции

[BarsMonster]

Сабж, ведь все равно везде надо легировать, и обычно чем сильнее тем лучше, т.е. пока плотность легирующих добавок существенно выше плотности примесей - должно работать без проблем, верно?
Если даже на таком ужасе как аморфный кремний транзисторы работают, чем мешают загрязнения (0.1% например)?

Дефекты кристаллической решетки? Ну так они в любом случае будут при легировании...

Или я что-то не понимаю?

Сообщение отредактировал BarsMonster - Oct 27 2010, 20:55

[Microwatt]

- во-первых, от чистоты исходного кремния очень сильно зависит его проводимость. Не очень же захочется, чтобы транзистор в запертом состоянии проводил 20% тока?
- во-вторых, легируют не абы чем, а добавками с определенной валентностью, чтобы иметь р и n- переходы. И легируют тоже не лопатой, а в очень узких пределах.
_ с третьего по 23 спецы по физике твердого тела подробнее расскажут.

[BarsMonster]

- во-первых, от чистоты исходного кремния очень сильно зависит его проводимость. Не очень же захочется, чтобы транзистор в запертом состоянии проводил 20% тока?
- во-вторых, легируют не абы чем, а добавками с определенной валентностью, чтобы иметь р и n- переходы. И легируют тоже не лопатой, а в очень узких пределах.
_ с третьего по 23 спецы по физике твердого тела подробнее расскажут.

1) Мне казалось что в запертом состоянии транзистор не проводит вовсе не засчет высокого оммического сопротивления полупроводника, а за счет невозможности прохождения носителей заряда через потенциальный барьер p-n перехода.

2) Верно. Но ведь делают спокойно микросхемы на уже легированных подложках например p типа - просто в нужных местах легируют сильнее n типом, n тип в итоге и получается.

[EUrry]

1) Мне казалось что в запертом состоянии транзистор не проводит вовсе не засчет высокого оммического сопротивления полупроводника, а за счет невозможности прохождения носителей заряда через потенциальный барьер p-n перехода.

Кроме потенциального барьера p-n перехода есть неосновные носители в p- и n-областях, которые и обусловливают токи утечки перехода. А концетрация неосновных носителей как раз и определяется исходным материалом.

[BarsMonster]

Кроме потенциального барьера p-n перехода есть неосновные носители в p- и n-областях, которые и обусловливают токи утечки перехода. А концетрация неосновных носителей как раз и определяется исходным материалом.

Т.е. получается что классический процесс, когда в пластине p-типа делают n-области обладает врожденным недостатком?
Т.е. если пластину брать нелегированую, и легировать только нужные части в p/n тип, то токи утечки были бы ниже, хоть и с большим количеством производственных операций?

[EUrry]

Т.е. получается что классический процесс, когда в пластине p-типа делают n-области обладает врожденным недостатком?

Ну а как по другому сделать сие по планарной технологии? Кроме того, это еще не главная причина требований к высокому уровню очистки исходного материала. Есть примеси и других вредностей, дефекты из-за которых могут и не только токи утечки изгадить, а привести к еще более нежелательным эффектам, в том числе квантовым. Но подробности уже не от меня - я этим не занимаюсь и здесь не советчик!