Генерация временной задержки, (задержка включения MOSFETа) Опции

[НЕХ]

Попался в руки блок питания на 1300 ватт, резонансный полумост на 4 транзисторах, 2 в параллель. На холостом ходу 320 кГц, на полной нагрузке - 120 кГц. Драйвера выполнены в формате микросборки с применением бескорпусных чипов, залитых компаундом, с огромными кристаллами. Видимо, в Китае кремниевые фабрики готовы на любую халтуру - регулировка модулей приводила к напайке резисторов 0805 в 3 этажа. Эти акробатические усилия, похоже, недостаточны - горят БП синим пламенем.
Модуль состоит из генератора, двух трансформаторов и двух оконечных драйверов MOSFET. Трансформаторы передают энергию питания и моменты переключения. Задержка включения 500 нс, выключение - максимально быстро. Питание : 10-15 вольт.
На чём можно изящно решить задачу задержки фронта ?

Сообщение отредактировал НЕХ - Oct 10 2010, 12:29

[НЕХ]

Удивляете меня - когда на стоке + это уже обратное напряжение на внутреннем диоде.

для полевика, оказывается, гораздо менее опасно жесткое закрытие паразитного диода, чем тот эффект, от которого они дохнут на малой нагрузке.
К моменту выключения транзистора вредных носителей осталось мало от того времени, когда тёк ток через внутренний диод, но ведут себя героически, потому что велико напряжение сток исток. Они разгонятся, размножатся, порадив лавину. И произойдёт это при напряжении, меньшем статического лавинного пробоя. А потом транзистор умирает от вторичного теплого пробоя.
Но выход есть !

[dmitrp]

Удивляете меня - когда на стоке + это уже обратное напряжение на внутреннем диоде.

для полевика, оказывается, гораздо менее опасно жесткое закрытие паразитного диода, чем тот эффект, от которого они дохнут на малой нагрузке.
К моменту выключения транзистора вредных носителей осталось мало от того времени, когда тёк ток через внутренний диод, но ведут себя героически, потому что велико напряжение сток исток. Они разгонятся, размножатся, порадив лавину. И произойдёт это при напряжении, меньшем статического лавинного пробоя. А потом транзистор умирает от вторичного теплого пробоя.
Но выход есть !

Вы мне такой режим найдите в резонансном инверторе напряжения на частоте выше резонанса с режимом ZVS при включении транзистора.
Про коммутацию транзисторов я кое что знаю. Не зря защищал диссер с темой
Исследование и оптимизация коммутационных процессов в транзисторных преобразователях для электротехнологии.
Это правда был 1998 год.