Цитата(san822 @ Nov 29 2010, 15:00)

А где, на Ваш взгляд, потери будут меньше - на современных MOSFET или симисторах ?
Ответ зависит от величины нагрузки. При небольших токах потери могут быть меньше на MOSFET, при больших - могут уже и симмисторы быть более эффективными. Открытый канал MOSFET представляет из себя сопротивление определенной величины. Рассеивание тепла на резисторе пропорционально
квадрату протекающего
тока, а сопротивлению только прямо пропорционально. На тиристоре же (симмисторе) падение напряжения складывается из падения на P-N переходе плюс небольшая добавка из эквивалента динамического сопротивления. Эквивалент динамического сопротивления обычно составляет порядок единицы-десятки миллиОм. Сравните сами
конкретные типы MOSFET и симмисторов.