реклама на сайте
подробности

 
 
> Пара вопросов по SDRAM, касательно AUTOREFRESH
spectr
сообщение Dec 23 2010, 09:58
Сообщение #1


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 285
Регистрация: 10-12-04
Из: Earth
Пользователь №: 1 437



Понадобилось вникнуть в суть SDRAM - благо, материала достаточно, так что большинство вопросов я для себя прояснил.

Однако, пару моментов я так и не понял (витает некоторая неясность, которая меня в итоге запутала).

Допустим, память содержит 4 банка, каждый из которых содержит 2048 строк (да-да, это 64Мб Микрон sm.gif ).
Даташит говорит, что для того, чтобы обеспечить сохранность данных, необходимо за каждые 64 мс успеть подать 4096 таких команд (либо пачкой, либо раз в 15.625 мкс, что при количестве таких команд равном 4096 как раз уложится в 64мс).

Что мне непонятно:

1. Что именно рефрешит ОДНА команда AUTOREFRESH - ЦЕЛИКОМ один БАНК (но ведь в таком случае достаточно дать всего 4 команды, чтобы обновить всю память), или же только одну СТРОКУ в ОДНОМ банке (в таком случае надо дать 2048 команд в каждый банк)?

2. Откуда получается число 4096 (см. скобки в п.1)?

3. Правильно я понимаю что, например, для 64Мб Микрона время выполнения этой команды составит порядка 60нс (см. Даташит)?

Спасибо!
Go to the top of the page
 
+Quote Post
 
Start new topic
Ответов
vadimuzzz
сообщение Dec 23 2010, 23:24
Сообщение #2


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 291
Регистрация: 21-07-05
Пользователь №: 6 988



1. 1 команда AUTOREFRESH рефрешит 1 строку в каждом банке
2. из даташита. не знаю, где вы взяли 2048. в том даташите, что у меня - 4096 (у меня тоже Micron)
3. да, если вы рефрешите пачкой.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
spectr
сообщение Dec 24 2010, 04:47
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 285
Регистрация: 10-12-04
Из: Earth
Пользователь №: 1 437



Цитата(vadimuzzz @ Dec 24 2010, 05:24) *
не знаю, где вы взяли 2048. в том даташите, что у меня - 4096 (у меня тоже Micron)


MT48LC2M32B2.

Цитата из даташита (стр.2):
"The Micron® 64Mb SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory
containing 67,108,864 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a
synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal,
CLK). Each of the 16,777,216-bit banks is organized as 2,048 rows by 256 columns by 32
bits."

Однако чуть выше, в сводке ТТХ:
Refresh
– 64ms, 4,096-cycle refresh (15.6µs/row)

В то же время, на структурной схеме (стр.6) опять видим 4 банка по 2048 строк...

Либо где-то в даташите опечатка, либо я что-то недопонял...

Цитата(vadimuzzz @ Dec 24 2010, 05:24) *
3. да, если вы рефрешите пачкой.

Я так понял что сама по себе одна такая команда выполняется 60 нс.
Соответственно, 4096 таких команд одной пачкой составит 4096*60=245 мкс sm.gif.
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 22nd July 2025 - 08:31
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01352 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016